【總結(jié)】第九講場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路一、場(chǎng)效應(yīng)管二、場(chǎng)效應(yīng)管放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置方法三、場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的動(dòng)態(tài)分析四、復(fù)合管場(chǎng)效應(yīng)三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,且利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流的三極管,稱為場(chǎng)效應(yīng)管,也稱單極型三極管。場(chǎng)效應(yīng)管分類結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)單極型器件
2024-12-08 08:30
【總結(jié)】金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道(耗盡型)FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場(chǎng)效應(yīng)管的分類:(電場(chǎng)效應(yīng),單
2025-02-21 10:49
【總結(jié)】第3章場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)?分類和結(jié)構(gòu):?結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JFET?絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管IGFETNPPN結(jié)耗盡層N溝道G門極D漏極S源極P
2025-01-20 03:28
【總結(jié)】第5章場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路場(chǎng)效應(yīng)管1.特點(diǎn):(1)導(dǎo)電能力由電壓控制的半導(dǎo)體器件。(2)僅靠多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。(3)體積小、耗電少、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),(4)輸入電阻高、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、噪聲低、制造工藝簡(jiǎn)單、便于集成等特點(diǎn)。(5)廣泛用于大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路。N溝
2025-05-07 00:12
【總結(jié)】第四章場(chǎng)效應(yīng)管放大器●導(dǎo)電溝通:從參與導(dǎo)電的載流子來劃分,它有自由電子導(dǎo)電的N溝道器件和空穴導(dǎo)電的P溝道器件。●場(chǎng)效應(yīng)管:場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管是由一種載流子(多子)導(dǎo)電的、用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件,具有輸入阻抗高,溫度穩(wěn)定性好的特點(diǎn)?!穹诸悾喊凑?qǐng)鲂?yīng)三極管
2025-05-01 08:45
【總結(jié)】場(chǎng)效應(yīng)管放大電路設(shè)計(jì)、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?。。、?shí)驗(yàn)原理與設(shè)計(jì)方法1.場(chǎng)效應(yīng)管的分類場(chǎng)效應(yīng)管(FET是一種電壓控制電流器件。其特點(diǎn)是輸入電阻高,噪聲系數(shù)低,受溫度和輻射影響小。因而特別使用于高靈敏度、低噪聲電路中。場(chǎng)效應(yīng)管的種類很多,按結(jié)構(gòu)可分為兩大類:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管又分為N溝道和P溝道兩種。絕緣柵場(chǎng)
2025-06-30 03:02
【總結(jié)】場(chǎng)效應(yīng)管概述場(chǎng)效應(yīng)管是繼三極管之后發(fā)展起來的另一類具有放大作用的半導(dǎo)體器件,其特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡(jiǎn)單,在集成電路中占有重要地位。本章講述場(chǎng)效應(yīng)管的類型、工作原理、特性及其三組態(tài)電路等基本知識(shí)。第四章場(chǎng)效應(yīng)管及基本放大電路學(xué)習(xí)方法:學(xué)習(xí)本章內(nèi)容時(shí),應(yīng)特別注意
2025-04-22 22:04
【總結(jié)】第五章放大電路的頻率響應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型場(chǎng)效應(yīng)管各極之間存在極間電容,其高頻等效模型如下:一般情況下,rgs和rds比外接電阻大得多,可認(rèn)為是開路。Cgd可進(jìn)行等效變化,使電路單向化。第五章放大電路的頻率響應(yīng)Cgd等效變化:g-s之間的等效電容為d-s之間的等效電容為)(1Lmgdds
2025-06-12 18:26
【總結(jié)】場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor,F(xiàn)ET)簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,是利用輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,是電壓控制型器件。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。特點(diǎn)輸入端電流極小,因此它的輸入電阻很大利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,其溫度穩(wěn)定性較
2025-01-14 13:19
【總結(jié)】金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路與BJT相比:?利用電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流?單極型晶體管:主要是多數(shù)載流子導(dǎo)電?輸入阻抗高?噪聲低?易于制造,便于集成P溝
2025-02-18 00:05
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)第三章場(chǎng)效應(yīng)管引言結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)MOS場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管電路小信號(hào)等效電路分析法場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的組態(tài)模擬電子技術(shù)引言場(chǎng)效應(yīng)管FET(FieldEffectTransistor)
2024-10-04 19:08
2025-05-15 00:20
【總結(jié)】場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管不同,它是多子導(dǎo)電,輸入阻抗高,溫度穩(wěn)定性好。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩種:N溝道P溝道耗盡型增強(qiáng)型耗盡型增強(qiáng)型N溝道P溝道§5場(chǎng)效應(yīng)管放大電路G(柵極)S源極D漏極1、結(jié)構(gòu)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(
2025-01-14 13:04
【總結(jié)】......實(shí)驗(yàn)六 場(chǎng)效應(yīng)管放大器 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康摹 ?、了解結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的性能和特點(diǎn)2、進(jìn)一步熟悉放大器動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試方法二、實(shí)驗(yàn)儀器1、雙蹤示波器2、萬用表 3、信號(hào)發(fā)生器三、實(shí)驗(yàn)原理實(shí)
2025-08-03 02:26
【總結(jié)】實(shí)驗(yàn)三場(chǎng)效應(yīng)管放大電路班級(jí):姓名:學(xué)號(hào):一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.了解結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的性能和特點(diǎn)。2.學(xué)習(xí)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試方法。二、實(shí)驗(yàn)儀器及器件儀器及器件名稱型號(hào)數(shù)量+12V直流穩(wěn)壓電源DP8321函數(shù)信號(hào)發(fā)生器DG41021示波器MSO2000
2025-07-21 07:11