最新實(shí)驗(yàn)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路設(shè)計(jì)解讀-資料下載頁
2025-06-30 03:02本頁面
【正文】 把場(chǎng)效應(yīng)管的 D 、 s 之間看成一個(gè)受 UGS 控制的電阻。測(cè)量 rDs 電路如圖 7— 4— 3所示。 圖中,ID=V1/RD r Ds=V2/ID=V2/V1RD. (1按圖 7— 4— 3接線。其中, Vi 為 10mV 一 100mV,f =1000Hz的正弦波信號(hào)。 (2令 VGS=0,調(diào)節(jié) Vi 使 v2在 0mV 一 100mV 范圍內(nèi)變化,讀出 V1和 v2的值,計(jì) 算 rDs值并填入表 .(3分別將 ugs 調(diào)至 VP5,2VP5, ,重復(fù)以上幾步(4以測(cè)得的 UDs 為 X 軸, ID 為 Y 軸,畫出 MOSFET 柵極一漏極連接的電阻特性曲 線。 2 . 設(shè)計(jì)一個(gè) AV=10的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路。已知輸入信號(hào)有效值 Vi=150mv , Rl=20kQ,選 3D01D 型場(chǎng)效應(yīng)管,其參數(shù)為 2擴(kuò)展要求 場(chǎng)效應(yīng)管源極跟隨器電路設(shè)計(jì) .AV=1 Ri=2m 。 R 0fl fh 、實(shí)驗(yàn)儀器 l臺(tái) 1臺(tái) VP— M5220A — 1型 1臺(tái) 1臺(tái) 500型 1只、預(yù)習(xí)要求實(shí)驗(yàn)報(bào)告、組成及特點(diǎn)。 A v 、輸入電阻 R i 、輸出電阻 R 0與理論值進(jìn)行比較。 R S 和 R D 對(duì)放大器的性能有何影響。 實(shí)驗(yàn)與思考題’ 1測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電陽 R 時(shí),應(yīng)考慮哪些因素 ? 為什么 ?2 為什么場(chǎng)效應(yīng)管輸入端的耦合 (隔直 電容 c 。一般只要 0. 021uF 左右 (它比晶體管的耦 合電容要小得多 173 為什么場(chǎng)效應(yīng)管電壓放大器的放大倍數(shù)一般沒有晶體管的電壓放大倍數(shù)大 ?
規(guī)章制度相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1