最新實驗場效應管放大電路設計解讀-資料下載頁
2025-06-30 03:02本頁面
【正文】 把場效應管的 D 、 s 之間看成一個受 UGS 控制的電阻。測量 rDs 電路如圖 7— 4— 3所示。 圖中,ID=V1/RD r Ds=V2/ID=V2/V1RD. (1按圖 7— 4— 3接線。其中, Vi 為 10mV 一 100mV,f =1000Hz的正弦波信號。 (2令 VGS=0,調(diào)節(jié) Vi 使 v2在 0mV 一 100mV 范圍內(nèi)變化,讀出 V1和 v2的值,計 算 rDs值并填入表 .(3分別將 ugs 調(diào)至 VP5,2VP5, ,重復以上幾步(4以測得的 UDs 為 X 軸, ID 為 Y 軸,畫出 MOSFET 柵極一漏極連接的電阻特性曲 線。 2 . 設計一個 AV=10的絕緣柵型場效應管共源放大電路。已知輸入信號有效值 Vi=150mv , Rl=20kQ,選 3D01D 型場效應管,其參數(shù)為 2擴展要求 場效應管源極跟隨器電路設計 .AV=1 Ri=2m 。 R 0fl fh 、實驗儀器 l臺 1臺 VP— M5220A — 1型 1臺 1臺 500型 1只、預習要求實驗報告、組成及特點。 A v 、輸入電阻 R i 、輸出電阻 R 0與理論值進行比較。 R S 和 R D 對放大器的性能有何影響。 實驗與思考題’ 1測量場效應管的輸入電陽 R 時,應考慮哪些因素 ? 為什么 ?2 為什么場效應管輸入端的耦合 (隔直 電容 c 。一般只要 0. 021uF 左右 (它比晶體管的耦 合電容要小得多 173 為什么場效應管電壓放大器的放大倍數(shù)一般沒有晶體管的電壓放大倍數(shù)大 ?
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