第422場效應(yīng)管及基本放大電路-資料下載頁
2025-04-22 22:04本頁面
【導(dǎo)讀】制造工藝簡單，在集成電路中占有重要地位。性及其三組態(tài)電路等基本知識。集與共漏等放大電路性能的比較）。電極－襯底（引線）電極。時，D,S之間無導(dǎo)電溝道存在?n為N溝道元件的傳導(dǎo)參數(shù)(已知)。-電壓關(guān)系（放大區(qū)?的靜態(tài)工作點Q。RD=20kΩ，VDD=5V，VTN=1V，Kn=。所以假設(shè)成立，即場效應(yīng)管確實處于放大狀態(tài)，上述分析是正確的。，則場效應(yīng)管處于電阻區(qū)，另兩種假設(shè)導(dǎo)致無解。直流電路如圖所示。設(shè)MOSFET的參數(shù)為VTN=2V，試確定R1和R2使流過它們的電流為。
【正文】 取 R1=100kΩ， R2=100kΩ。 )210(10)()5(5 ?????????? DsDDS IRRV)()( s atDSDSTNGSs atDSVVVVV??????驗證場效應(yīng)管是否處于放大區(qū) 確實處于放大區(qū)，假設(shè)正確。 集成 MOSFET電路的直流偏置 [例 ]目的：設(shè)計一個由恒流源提供偏置的 MOSFET電路。 電路如圖 (a)所示。場效應(yīng)管的參數(shù)為 ， 2m A / ?? nTN KV 5 0 ?? DD VI ，設(shè)計電路參數(shù)使 解：假設(shè)場效應(yīng)管處于放大區(qū)，則有 22 )(1 2 02 5 0)( ????? VVVKI GSTNGSnD（舍去）或 ??? GSGS VV ?????? GSGS VVV????????? kI VRDDDDDD RVI 10)( ?????? SDDS VVV)( ????? VVV TGSs a tDS， )( s a tDSDSTNGS VVVV ?? 確實工作在放大區(qū)。 驗證是否工作在放大區(qū)： 將 N溝道增強型 MOSFET像圖 樣連接的電路應(yīng)用較為廣泛。圖中， VVVVV TNGSs a tDSGSDS ???? )(永遠成立，另外只要保證 VV TNGS ? 即可保證場效應(yīng)管工作在放大區(qū)。 常稱這種連接電路為 增強型負載 電路（這種稱法在下一章作詳細解釋）。 [例 ]目的：計算含增強型負載電路的工作點。 電路如圖 。已知 VTN=， Kn=。 解：由于場效應(yīng)管工作于放大區(qū)，所以 2)( VVKI TNGSnD ?? RIVV SDDDGSDS V ??? 由上兩式可得 2)( VVRKV TNGSSnDDGS V ???2)( ???? GSGS VV解得 （舍去）或 ??? GSGS VVmA2 1 ?? DDS IV ，
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