第422場效應管及基本放大電路(完整版)
【正文】 MOSFET偏置 CS放大電路 分離 MOSFET電路的直流偏置 MOSFET偏置 CS電路 靜態(tài)工作點 Q (ICQ,IBQ,UCEQ) 基極分壓射極偏置電路 基極分壓射極偏置電路穩(wěn) Q條件： Ib1≈ Ib2﹥﹥ IB 工程上取 510倍 。場效應管概述 場效應管是繼三極管之后發(fā)展起來的另一類具有放大作用的半導體器件 ,其特點是輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強、制造工藝簡單，在集成電路中占有重要地位。 直流通道及靜態(tài)工作點 Q估算 CCb2b1b2B VRRRU??IBQ=ICQ/? UCEQ = VCC ICRC IERe ICQ? IEQ=UE/Re = （ UB UBE） / Re(基本不變 ) UBE ? +VCC Rb1 RC Rb2 Re IC IE IB UCE 電容開路 ,畫出直流通路 基極分壓射極偏置電路穩(wěn) Q條件： Ib1≈ Ib2﹥﹥ IB 求靜態(tài)工作點 Q(放大區(qū) ) Q點： VGS 、 ID 、 VDS 1. 因為 MOSFET的柵極電流 IG為零 (反偏 )，與 G極相連的支路可看成開路。 電路如圖所示。要求 ID=.(采用標準電阻 ) 例 ：設計 MOSFET電路的直流偏置，滿足漏極電流的特定要求。 常稱這種連接電路為 增強型負載 電路（這種稱法在下一章作詳細解釋）。 電路如圖 。 )210(10)()5(5 ?????????? DsDDS IRRV)()( s atDSDSTNGSs atDSVVVVV??????驗證場效應管是否處于放大區(qū) 確實處于放大區(qū)，假設正確。求 VGS、 ID和 VDS。 [分析指南 ] 求 VGS， VGSVT? 假設工作在放大區(qū) ID=Kn(VGSVT)2 假設工作在
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