第422場效應(yīng)管及基本放大電路(完整版)
【正文】 MOSFET偏置 CS放大電路 分離 MOSFET電路的直流偏置 MOSFET偏置 CS電路 靜態(tài)工作點(diǎn) Q (ICQ,IBQ,UCEQ) 基極分壓射極偏置電路 基極分壓射極偏置電路穩(wěn) Q條件： Ib1≈ Ib2﹥﹥ IB 工程上取 510倍 。場效應(yīng)管概述 場效應(yīng)管是繼三極管之后發(fā)展起來的另一類具有放大作用的半導(dǎo)體器件 ,其特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡單，在集成電路中占有重要地位。 直流通道及靜態(tài)工作點(diǎn) Q估算 CCb2b1b2B VRRRU??IBQ=ICQ/? UCEQ = VCC ICRC IERe ICQ? IEQ=UE/Re = （ UB UBE） / Re(基本不變 ) UBE ? +VCC Rb1 RC Rb2 Re IC IE IB UCE 電容開路 ,畫出直流通路 基極分壓射極偏置電路穩(wěn) Q條件： Ib1≈ Ib2﹥﹥ IB 求靜態(tài)工作點(diǎn) Q(放大區(qū) ) Q點(diǎn)： VGS 、 ID 、 VDS 1. 因?yàn)?MOSFET的柵極電流 IG為零 (反偏 )，與 G極相連的支路可看成開路。 電路如圖所示。要求 ID=.(采用標(biāo)準(zhǔn)電阻 ) 例 ：設(shè)計(jì) MOSFET電路的直流偏置，滿足漏極電流的特定要求。 常稱這種連接電路為 增強(qiáng)型負(fù)載 電路（這種稱法在下一章作詳細(xì)解釋）。 電路如圖 。 )210(10)()5(5 ?????????? DsDDS IRRV)()( s atDSDSTNGSs atDSVVVVV??????驗(yàn)證場效應(yīng)管是否處于放大區(qū) 確實(shí)處于放大區(qū)，假設(shè)正確。求 VGS、 ID和 VDS。 [分析指南 ] 求 VGS， VGSVT? 假設(shè)工作在放大區(qū) ID=Kn(VGSVT)2 假設(shè)工作在
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1