第422場效應(yīng)管及基本放大電路-文庫吧在線文庫
【正文】 靜電影響 易受靜電影響集成工藝 不易大規(guī)模集成 適宜大、超大規(guī)模集成雙極型和場效應(yīng)型三極管的比較 (續(xù) ) N溝道 增強型 MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu) N溝道增強型 MOS場效應(yīng)管 漏極 D→ 集電極 C 源極 S→ 發(fā)射極 E 絕緣柵極 G→ 基極 B 襯底 B 電極 — 金屬 絕緣層 — 氧化物 基體 — 半導(dǎo)體 因此稱之為 MOS管 襯底引線 P SiO2 2. MOSFET的工作原理 N+ N+ S G D 在一塊 P 型硅襯底上擴散兩個高摻雜的 N 型區(qū)，分別作為源極 S 和漏極 D ，在 S 和 D 之間的 P 型襯底平面上利用氧化工藝生長一層薄的 S i O 2 絕緣層，并引出 G ，在襯底上引出接觸電極－襯底 （引線）電極。 電路如圖所示。 RS的作用 穩(wěn)定靜態(tài)工作點 假設(shè)場效應(yīng)管處于放大區(qū)，則： 22 )1()( ???? GSTNGSnD VVVKI )(10 ???? IRRV DSDDS即假設(shè)成立，場效應(yīng)管處于放大區(qū)。 集成 MOSFET電路的直流偏置 [例 ]目的：設(shè)計一個由恒流源提供偏置的 MOSFET電路。已知 VTN=， Kn=。圖中， VVVVV TNGSs a tDSGSDS ???? )(永遠成立，另外只要保證 VV TNGS ? 即可保證場效應(yīng)管工作在放大區(qū)。試確定 R1和 R2使流過它們的電流為 。 說明：如果不滿足 VVsatDSDS )(?漏極電流 ID的計算要采用公式： ，則場效應(yīng)管處于電阻區(qū)， ? ?? ?22 DSDSTNGSnD VVVVKI ???不在截止區(qū) [例 ]目的：計算 N溝道增強型 MOSFET的 Q。 (重點 ) MOSFET的偏置電路 (重點 ) MOSFET放大電路的直流偏置 MOSFET放大電路的直流偏置 分離 MOSFET電路的直流偏置
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