模擬電子技術(shù)第3章場(chǎng)效應(yīng)管及其模擬電路-資料下載頁(yè)
2025-01-02 09:24本頁(yè)面
【正文】 產(chǎn)廠家來(lái)提供，也可以自行測(cè)量。當(dāng) vGS=2VGS,th時(shí)的漏極電流iD用 ID2表示。根據(jù)轉(zhuǎn)移特性方程可得， ID2=K(VGS,th)2，故 K=IDS/V2GS,th。 3. 直流輸入電阻 RGS。 JFET的直流輸入電阻 RGS在 108Ω~1012 Ω之間； MOSFET的直流輸入電阻 RGS在 1010Ω~1015Ω之間，通?？烧J(rèn)為 RGS→∞ 。 直流參數(shù) ① 柵 — 源擊穿電壓 VBR,GSO：漏極開(kāi)路時(shí)，柵極與源極之間的擊穿電壓。對(duì)于JFET而言，該參數(shù)為 PN結(jié)反向擊穿電壓，對(duì)于 MOSFET而言，該參數(shù)為 SiO2絕緣層被擊穿時(shí)的柵源電壓。 ② 漏 — 源擊穿電壓 VBR,DSO：柵極開(kāi)路時(shí)，值，即 PDM=(iDvDS)max=常數(shù)。漏極與源極之間的擊穿電壓。 ③ 漏極最大功耗 PDM：場(chǎng)效應(yīng)管所能允許的漏源電壓與漏極電流乘積的最大 極限參數(shù) . 1 FET的直流偏置電路 FET的直流偏置電路是設(shè)置 FET直流工作點(diǎn)直流電路。常用的直流偏置電路有兩種，即自給偏壓式偏置電路和分壓式偏置電路，如圖 310所示。 圖 310 FET的直流偏置電路 (a) (b) (c) 圖 310(a)給出了 N溝道自給偏壓式偏置電路。對(duì) P溝道 FET，只要將電源VDD的極性反過(guò)來(lái)即可。須指出，自給偏壓式偏置電路只適用于耗盡型 FET，即有初始導(dǎo)電溝的 FET。 (a) 自給偏壓式偏置電路的特點(diǎn)是：由漏極電流 ID自動(dòng)生成負(fù)值的柵 — 源電壓。 ∵ 源極電位 VS=ISRS=IDRS g s d ∵ 柵極電流很小 ∴ 柵極電位 VG=0 ∵ VGS=VGVS=0IDRS=IDRS N溝道 P溝 道 VDD0 VGS0 VDD0 VGS0 分壓式偏置電路可以由 RG1和 RG2分壓設(shè)置柵極直流電位。 (c) ∵ 源極電位 VS=IDRS g s d ∵ 柵極電位 ∴ G2G S G S D D D SG 1 G 2RV V V V I RRR? ? ? ?? 可見(jiàn)， VGS可正、可負(fù)，當(dāng)?shù)谝豁?xiàng)大于第二項(xiàng)時(shí)， VGS為正，若 VGSVGS,th，則可應(yīng)用于 N溝道增強(qiáng)型。對(duì) N溝道耗盡型 MOS管， VGS可正、可負(fù)，也可以為零，因此分壓式偏置電路適用于所有 FET。對(duì)于 P溝道 FET，只要把 VDD極性反過(guò)來(lái)即可。 (37) (a) g s d FET直流工作點(diǎn)的解法 G SQ D Q SV I R?? ? ?D SQ D D D Q D SV V I R R? ? ?(38) (39) (310) 根據(jù)耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性公式有 2GSD D SSG S,of f1 viI v????????(31) (33) ∴ 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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