【摘要】雙極型晶體管晶體管的結(jié)構(gòu)和類型晶體管的電流分配關(guān)系和放大作用晶體管的特性曲線晶體管的主要參數(shù)溫度對晶體管參數(shù)的影響第四章晶體管硅晶體管鍺晶體管晶體管類型NPN型PNP型第三節(jié)雙極型晶體管可簡稱為晶體管,或半導體三極管,用BJT(Bipolar
2025-01-25 03:40
【摘要】制作:浙江廣廈建設(shè)職業(yè)技術(shù)學院信息與控制工程學院晶體管開關(guān)電路1一、模擬電路和數(shù)字電路?模擬信號:在時間上和數(shù)值上連續(xù)的信號。?數(shù)字信號:在時間上和數(shù)值上不連續(xù)的(即離散的)信號。?對模擬信號進行傳輸、處理的電子線路稱為模擬電路。?對數(shù)字信號進行傳輸、處理的電子線路稱為數(shù)字電路。2數(shù)字電路和模擬電路特
2025-06-17 18:47
【摘要】Bipolarjunctiontransisitor(BJT)第三章雙極晶體管第三章雙極晶體管?雙極晶體管的工作原理?少子的分布與直流特性?低頻共基極電流增益?非理想效應(yīng)?等效電路模型?頻率特性?大信號開關(guān)特性?其他的雙極晶體管結(jié)構(gòu)?無源器件(pa
2025-03-03 10:46
【摘要】封面西藏·班公湖返回返回引言本頁完本頁完引言倍頻器是一種輸出頻率等于輸入頻率整數(shù)倍的電路,用以提高頻率,其優(yōu)點為返回返回1、發(fā)射機主振器的頻率可以降低,對穩(wěn)頻有利。振蕩器的頻率越高,頻率穩(wěn)定度應(yīng)越低。一般主振器頻率不宜超過5MHz。因此發(fā)射頻率高于5MHz,一般宜采用倍頻器。2、在采用石英晶體
2025-06-29 08:47
【摘要】**1目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁章節(jié)目錄**2目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁第7章晶體管特性圖示儀本章要點§晶體管特性圖示儀的組成及原理框圖§?晶體管特性曲線的測量方法§?用晶體管特性圖示儀測量二極管、三極管和場效應(yīng)管**3目 錄退 出下一頁上
【摘要】半導體器件物理第五章第五章晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導體器件物理第第5章章晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性二極管的開關(guān)作用和二極管的開關(guān)作用和反向恢復時間反向恢復時間開關(guān)晶體管的靜態(tài)特性開關(guān)晶體管的靜態(tài)特性晶體管開關(guān)的動態(tài)特性晶體管開關(guān)的動態(tài)特性半導體器件物理第五章第五章晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半
【摘要】第6章雙極型晶體管?晶體管概述?晶體管基本結(jié)構(gòu)從基本結(jié)構(gòu)來看,晶體管由兩個十分靠近的,分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)組成。兩個P-N結(jié)將晶體管劃分為三個區(qū):發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由三個區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極、基極和集電極,用符號E、B、C(e、b、c)表示。晶體管的基本形式可分為PNP型和NPN型兩種。
2025-06-23 18:03
【摘要】ICmA?AVVUCEUBERBIBECEB測量電路晶體管和放大作用4——使用是否得當取決于對電路的理解程度IC(或IE)?IB這就是晶體管的電流放大作用2)晶體管放大的外部條件1)放大原理直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)正偏反偏發(fā)射結(jié)集電結(jié)(1)輸入
【摘要】場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)管的特點結(jié)型場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管第四章絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管第四節(jié)場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管,用FET來表示(FieldEffectTransistor)。一、絕緣柵場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管是一種金屬—
2025-03-08 21:19
【摘要】(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransnsator)場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)金屬-半導體場效應(yīng)晶體管(MESFET)MOS場效應(yīng)晶體管(MOSFET)MOS場效應(yīng)晶體管在微處理器和存儲器方面,MOS集成電路幾
2025-06-24 00:11
【摘要】1微電子技術(shù)基礎(chǔ)雙極型和MOS晶體管信息工程學院姜梅微電子技術(shù)基礎(chǔ)一、雙極晶體管1.雙極晶體管的結(jié)構(gòu)由兩個相距很近的PN結(jié)組成:分為:NPN和PNP兩種形式基區(qū)寬度遠遠小于少子擴散長度發(fā)射區(qū)收集區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)收集結(jié)發(fā)射極收集
【摘要】劉開華2022/2/11電子線路基礎(chǔ)2第三章、放大器的頻率特性線性失真及其分析方法單級放大器的頻率響應(yīng)多級放大器的頻率響應(yīng)放大器的階躍響應(yīng)3線性失真分析方法4由于放大電路中存在電抗元件(電容、電感等),所以在放大含有豐富頻率成分的信號(如語音信號、脈沖信號
2025-03-03 20:55
【摘要】晶體管開關(guān)特性二極管的開關(guān)特性三極管的開關(guān)特性加速電容的作用晶體管開關(guān)特性在脈沖電路中,二極管和三極管通常作為“開關(guān)”使用。二極管的開關(guān)特性一、二極管的開關(guān)作用IDI,0VVVVIR????1.正向偏置時,
2025-01-24 02:22
【摘要】1第一章:電力二極管和晶閘管?第一節(jié)電力二極管?第二節(jié)晶閘管?第三節(jié)雙向晶閘管及其他派生晶閘管?本章小節(jié)2AKAKa)第一節(jié)電力二極管?電力二極管是指可以承受高電壓大電流具有較大耗散功率的二極管,它與其他電力電子器件相配合,作為整流、續(xù)流、電壓隔離、鉗位或
2025-07-13 15:48
【摘要】MOS場效應(yīng)晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結(jié)構(gòu)、工作原理和輸出特性MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)基本工作原理和輸出特性MOS場效應(yīng)晶體管的分類MOS場效應(yīng)晶體管的閾值電壓M
2025-03-03 04:31