晶體管的開關(guān)特性ppt課件-在線瀏覽
2025-06-17 18:47本頁面
【正文】 章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理 導(dǎo)通過程 中（外電路加以正脈沖），二極管P區(qū)向 N區(qū)輸運大量空穴， N區(qū)向 P區(qū)輸運大量電子。在穩(wěn)態(tài)時，流入 N區(qū)的空穴正好與 N區(qū)內(nèi)復(fù)合掉的空穴數(shù)目相等，流入 P區(qū)的電子也正好與 P區(qū)內(nèi)復(fù)合掉的電子數(shù)目相等，達到動態(tài)平衡，流過 PN結(jié)的電流為一常數(shù) I1。此時，二極管就工作在導(dǎo)通狀態(tài)。 正向?qū)〞r少數(shù)載流子積累的現(xiàn)象稱為電荷儲存效應(yīng)。反向電流保持不變的這段時間就稱為 儲存時間 ts。定義流過 PN結(jié)的反向電流由 I2下降到 I2時所需的時間為 下降時間 tf。半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理 反向恢復(fù)時間限制了二極管的開關(guān)速度。 所以要保持良好的開關(guān)作用，脈沖持續(xù)時間不能太短，也就意味著脈沖的重復(fù)頻率不能太高，這就限制了開關(guān)的速度。 當集電極電流增加到負載電阻上的壓降 ICRL達到或者超過VCCVBE時，集電結(jié)將變?yōu)榱闫?，甚至正偏，發(fā)射結(jié)上的壓降很小， C和 E之間近似短路，相當于圖中 CE間的開關(guān) K閉合。 半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理 當基極回路的輸入脈沖為負或等于零時，晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置狀態(tài)。 因此， 當晶體管處于截止狀態(tài)時，晶體管相當于一斷開的開關(guān)。飽和開關(guān)接近于理想開關(guān)。這種工作模式，一般用在高速開關(guān)電路中?！袼?與理想開關(guān)的主要差別 在于開態(tài)時晶體管開關(guān)上的壓降 ；關(guān)態(tài)時回路中還存在一定的電流 ICEO，因而回路電流 。從共射輸出特性曲線上可以看出，隨著偏置電壓的不同，晶體管的工作區(qū)域可以分為 飽和區(qū) 、 放大區(qū) 和 截止區(qū) 三個區(qū)域。 為了分析開關(guān)特性的需要，我們將倒向（反向）放大區(qū)也一并提出進行分析。 基極回路中輸入一幅值 VIVBB的正脈沖，基極電流 IB將立即跳變，晶體管將沿著輸出特性的負載線，由截止區(qū)進入放大區(qū)。當管壓降下降到 VCE=VCCICRL=VBE時，集電結(jié)由反偏變?yōu)?零偏 ，使集電結(jié)收集載流子的能力減弱，IC隨 IB增長的速度開始變慢，這時晶體管即進入 臨界飽和狀態(tài) 。 半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理 若基極驅(qū)動電流 IBIBS，則晶體管將處于過驅(qū)動狀態(tài)， 過驅(qū)動電流 過驅(qū)狀態(tài)下，集電結(jié)正偏，晶體管處于飽和狀過驅(qū)狀態(tài)下，集電結(jié)正偏，晶體管處于飽和狀態(tài)，過驅(qū)動電路越大，飽和深度越深
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