雙極晶體管ppt課件(2)-在線瀏覽
2025-06-23 18:03本頁面
【正文】 vE?e發(fā)射區(qū) n 集電區(qū) n 基區(qū) p 0np0pn)39。39。?xExx?39。(xpn)(xnp )39。(xpn0np?h0?x Bxx?039。 0?x CLx ?B（ p） E（ n） C（ n） 發(fā)射結(jié)反偏 集電結(jié)正偏 反向放大 效率低 低頻共基極電流增益 電流成分 發(fā)射區(qū) n 集電區(qū) n 基區(qū) p 0 BxnEj0pCjEjCjnCjGjpEjRjRBjBj 低頻共基極電流增益 電流成分 0))((??xBBnE dxxndeDJ ??????? ???)/t an h (]1)/[ ex p ()/s i n h (10BBBEBBBBBnE LxkTeVLxLneDJ039。))39。 無調(diào)制效應(yīng) 有調(diào)制效應(yīng) 大注入 效應(yīng) P型基區(qū) Bxx?BN0?x少子分布 )ln( CIBEV大注入效應(yīng) 多子分布 0Bn???????? kTeVnpn BEipp 2ex p)0()0(復(fù)合效應(yīng) 大注入效應(yīng) 短路電流增益? 集電極電流 IC thBEthBECVVVVI2)ln ( ??大注入時(shí)電流增益下降 發(fā)射區(qū)禁帶變窄 ???????? ??kTEnn giiE ex p22增長階段 禁帶變窄 發(fā)射區(qū)摻雜濃度 NE 發(fā)射區(qū)禁帶變窄使注入效率降低 cEdEvEFEcEdEvEFEn型發(fā)射區(qū) 039。少子 多子 0Ep發(fā) 射 極 注 入 效 率 ? )/t a n h ()/t a n h (1100EEBBEBBBEELxLxLDnLDp ???????????? ???kTENnNnp gEiEiEE ex p220低摻雜 高摻雜 gE gE39。 x集電區(qū) Nd 基區(qū)Na+ 發(fā)射區(qū)Nd++ 摻 雜 濃 度 Ec Ev EFi EF N區(qū) P區(qū) N區(qū) Ec Ev EFi EF 感生電場 ?edxdNNekTE aa1???????0??? dxdNeDENeJ apapp ? 晶體管的擊穿 （ 1）晶體管的穿通 Ec Ev EFi EF E B C CBCBsBpt NNNNeWV )(22 ?? ?BdB Wx ?1RVcEFEvEB（ p） E（ n） C（ n） 2RVB E C B E C BWdBx 晶體管的擊穿 （ 2）雪崩擊穿 CEVcEFEvEB E C CBVcEFEvEB E C B E C P N N ?? CEVB E C P N N ?? CBV0CBI0CEI?0CEI0CBI?e ?e① ② ① 晶體管的擊穿 （ 2）雪崩擊穿 000 CBCECE III ?? ?CIV0CBBV0CEBV基極懸空 發(fā)射極懸空 0CBI0CEI)( 000 CBCECE IIMI ?? ?00 1 CBCE IMMI???nCBCBnCEIIBV??000 1 ???IV 特性曲線 : 電流和電壓增益 : 等效電路模型 EbersMoll模型 （ 1）兩個(gè) pn結(jié)的耦合電流 （ 2） EM等效電路模型 B E C P N N FFI?FIRIRRI??? BCV?? BEVBICIEIE B C CIEI?? BCV?? BEVRRI? FFI??????? ???????? 1e x p kTeVII BEESF ?????? ???????? 1e x p kTeVII BCCSR?????? ?????????????? ???????? 1e x p1e x p kTeVIkTeVII BCCSBEESFC ??????? ?????????????? ???????? 1e x p1e x p kTeVIkTeVII BEESBCCSRE ??????? ? ????? )1( )1()1(ln
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