場(chǎng)效應(yīng)晶體管ppt課件-閱讀頁
2025-05-22 00:11本頁面
【正文】 )(21 20? MOSFET伏 安特性 有效溝道長度 Leff MOS晶體管的跨導(dǎo)為： 非飽和狀態(tài) 210 )](2[TGSDSs u bre f f VVVqNLL ??????)1()(21 2 DSTGSoxnD s a t VVVLWCI ?? ???tc o n sVGSDm GSVIgt a n????DSxnm VLWCg0??飽和狀態(tài)： 溝道電阻： 特征頻率： )1)((0 DSTGSxnm VVVLWCg ?? ???tc o n sVDSDm GSVIgt a n????為渡越時(shí)間:2/1????Tf 對(duì) NMOS而言： VFB為平帶電壓。 VS為功函數(shù)的影響， QSS為氧化層固定電荷密度，COX為單位面積柵氧化層電容（ MOS電容） 21)2(2 FFFBT VV ?g? ???OXSSSFB CQVV ?? MOS管的電壓 OXiox TC?? 0?為襯底摻雜濃度為費(fèi)米電勢(shì) s u bN )(Fis u bFnNInqkT?? ?oxs u brCqN 210 )2( ??gg?為體效應(yīng)系數(shù) 2 閾值電壓和襯底電壓的關(guān)系 3閾值電壓和溝道尺寸的關(guān)系 – 隨 L的減小而減小，隨 W的增大而增大。BSTT VVV g??MOSFET是一種表面型器件，其工作電流沿表面橫向流動(dòng)，因此其特性和橫向尺寸有很強(qiáng)聯(lián)系。 MOSFET是多子器件，沒有少數(shù)載流子復(fù)合和存儲(chǔ)，因此器件速度較高。 MOS晶體管是通過改變外加?xùn)艍旱拇笮砜刂茖?dǎo)電溝道。 由于溝道和襯底之間構(gòu)成 PN結(jié) .為保證只在溝道中有電流流過 ,使用時(shí)必然使源區(qū) ,漏區(qū) ,以及溝道區(qū)與襯底之間的 PN結(jié)處于反偏 .這樣在同一襯底上形成的多個(gè) MOS管之間具有自動(dòng)隔離的效果。 為了克服電阻增大導(dǎo)致的布線延遲 ,又出現(xiàn)了用鎢鉬及其硅化物作柵極的材料 ,其電阻率比多晶硅低兩個(gè)數(shù)量級(jí)。 (2)硅柵結(jié)構(gòu) – 多晶硅柵還可以做互連線 ,有利于減小集成電路芯片面積 ,提高集
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