雙極型晶體管ppt課件-閱讀頁
2025-01-29 10:48本頁面
【正文】 ? 基極電流為橫向電流 ， 基區(qū)摻雜濃度低 ， 且很薄 ， 這個(gè)電阻不可忽略 。 ? 基極電阻 rb： 擴(kuò)展電阻 ， 包括基區(qū)體電阻和基極電極引出線處接觸電阻 。 ?截止頻率 f ? ： 同上。 最高振蕩頻率 fM： 功率增益為 1時(shí)對應(yīng)的頻率 。,0:假設(shè)? ?? ?111c s c1c o t h000000??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????kTqVbbnbkTqVPEepebbnbkTqVnbbnbbnbkTqVPEnpenbbnbbnbPENEEEBCBEBCBEeWnqDeLpqDWnqDAeLWhLnqDAeLpqDLWLnqDAJJAI于是得到發(fā)射極電流 ? ?00000c sc 1c ot h 111BEBCBCBEqVnb bo b kTC C nc pcnb nbqVpc cnb b b kTnb nb pcqVqVpc cnb b nb bk T k Tb b pcqD n WI A J J A h eLLqD pqD n WAeL L LqD pqD n qD nA e eW W L?? ????? ? ? ? ??? ?????? ?????? ????? ? ??? ?????? ?????? ?? ????? ? ? ? ? ??? ?? ????? ?? ??????? ???集電極電流 ? ?? ?,0,0000000??????????????????????????????????????????????????????????????pccpcbbnbkTqVbbnbCbbnbkTqVpeepebbnbEBCBCBELpqDWnqDeWnqDAIWnqDeLpqDWnqDAIqkTVVVBEBE上式簡化為放大狀態(tài)時(shí)CEBEC IIIII ??? , 分析可知下的直流特性方程上式為晶體管放大狀態(tài) 晶體管直流特性曲線 一、共基輸入、輸出特性曲線 Vcb↑ ， 曲線左移 ， 基區(qū)寬變效應(yīng)使基區(qū)輸送系數(shù)和發(fā)射效率增大 ， 導(dǎo)致 IE增大； Ie＝ 0， 對應(yīng) Ic＝ Icbo； Vcb＝ 0， Ic≠ 0； BC結(jié)正偏 ， Ic才能為 0。 Vbe＝ 0， Ib＝ Icbo； Vce↑ ， Wb↓ ， Ib↓ ， 曲線右移 。當(dāng)晶體管處于倒向運(yùn)用狀態(tài)時(shí)，也同樣存在以上三個(gè)區(qū)，但截止區(qū)和飽和區(qū)是一樣的。 晶體管的開關(guān)特性 各工作區(qū)中結(jié)的偏置情況和電流關(guān)系 工作區(qū) 正向放大區(qū) 反向放大區(qū) 飽和區(qū) 截止區(qū) 發(fā)射結(jié)偏置 VBE0（正偏） VBE=0(反偏） VBE0（正偏） VBE0(反偏 ) 集電結(jié)偏置 VBC=0(反偏） VBC0(正偏） VBC=0（正偏） VBC0（反偏） 電流關(guān)系 IC＝ βIb IC＝ βR Ib IC=βIb IC=ICE≈0 Vcc,VBB為集電極和發(fā)射極的反向偏置電壓 。 CCCSLVI R?正向壓降和飽和壓降 Vbes：晶體管驅(qū)動(dòng)到飽和時(shí) ， be 間電壓降稱為 共射極正向壓降 。 be s e b b e e sV V I r I r? ? ?? ?c e s e e V V Ic e s c c sV r I r? ? ? ?很小 集電區(qū)體電阻壓降 ?小結(jié)：飽和態(tài)晶體管的特點(diǎn)： (1)飽和電流 CCCSLVIR? ?CSBIIS ?飽和深度? ? 與飽和深度有關(guān)飽和壓降?。?, VV c e s ??? ? VVVVVV bcb e sc e s ,~ ?????集電結(jié)正偏，(4)產(chǎn)生超量貯存電荷 在放大電路中，晶體管作為放大元件；但在邏輯電路中，晶體管是作為 開關(guān)元件 的。 由于 CTC上反偏電壓較大 ， 所以仍維持反偏 。 ? ， 集電結(jié)正偏 ， CTC充電到 ， 向 B區(qū) /C區(qū)注入少子 ， 導(dǎo)致基區(qū)和集電區(qū)出現(xiàn)超量電荷 ， 進(jìn)入飽和狀態(tài) 。 存儲(chǔ)過程 集電結(jié) 發(fā)射結(jié) 儲(chǔ)存開始 正偏（ ） 正偏（ ） 儲(chǔ)存結(jié)束 接近零偏（ 0－ V） 正偏（ ） ? VI去掉 ， 發(fā)射結(jié)加上反偏電壓 VBB， IB抽取儲(chǔ)存電荷； ? QBS和 QCS減小 ， 相當(dāng)于 CDE和 CDC放電 ， 但基區(qū)少子濃度梯度不變 ， ICS不變 。 此時(shí)發(fā)射結(jié)正偏 ， 集電結(jié)微負(fù)偏 。 ? ， 晶體管退出飽和 ， 進(jìn)入放大區(qū) 。 ? 之后 ， 發(fā)射結(jié)反偏 ， 集電結(jié)反偏 ， 晶體管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài) 。
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