場效應(yīng)晶體管ppt課件(參考版)
2025-05-10 00:11本頁面
【正文】 硅柵 MOS結(jié)構(gòu)和自對準技術(shù) 特征線寬： 柵氧厚度： 溝道長度： 50nm 300mm硅晶片 7層銅互連 MOSFET是單極器件 制造簡單 ,體積小 ,集成度高 輸入阻抗高 ,允許很高的扇出 可以用做雙向開關(guān) 可以用做儲存器件 噪聲小 ,功耗小 , 速度相對較慢 。 MOS 晶體管模型和模型參數(shù) L、 W 溝道長度和寬度 VTO 零偏閾值電壓 KP跨導(dǎo)系數(shù)（ unCox) GAMMA 體效應(yīng)系數(shù) PHI費米勢 LAMBDA 溝道長度調(diào)制系數(shù) R（ D， S）漏和源區(qū)串聯(lián)電阻 CB（ D， S）零偏 BD， BS結(jié)電容 IS 襯底結(jié)飽和電流 CGSO 單位溝道寬度柵覆蓋電容 CGBO 單位溝道寬度柵 襯底覆蓋電容 PB襯底結(jié)接觸電勢 CJ 襯底結(jié)零偏勢壘電容 MJ 梯度因子， RSH薄層電阻 (1)柵自對準工藝 – 在 MOS工藝水平中 ， 在柵氧化層上先利用多晶硅制做柵極 ， 在形成源漏區(qū)進行擴散或進行離子注入時柵極能起到掩膜的作用 ， 自動保證了柵金屬與源漏區(qū)的對準問題 ， 此技術(shù)稱為自對準工藝 。 目前用多晶硅取代鋁作柵極材料 .多晶硅耐高溫 ,可形成自對準工藝，摻雜多晶硅又可用途內(nèi)連線。 MOS晶體管的特點 由于柵源極間有絕緣介質(zhì)二氧化硅的隔離 ,因此呈現(xiàn)純電容性高輸入阻抗。 提高遷移率 ?n也將使 fT和 gm提高，采用高遷移率材料做晶體管是方向。 L越小， fT和 gm均越大，且集成度也越高，因此，減小尺寸將有益于 MOS特性的提高。 閾值電壓將發(fā)生變化加上后若襯底偏壓 ,V)2(BS2139。它表示由于柵極材料和襯底材料間的功函數(shù)差以及柵氧化層中固定電荷的影響引起的電壓偏移。 PMOS: 也稱為 P溝道，載流子為空穴。 V g sGN Si襯底SDIs d =I d sIdsV d d P P V d s襯底偏置（背柵）效應(yīng) 如果 MOS管的源區(qū)和襯底電壓不一致，就會產(chǎn)生襯底偏置效應(yīng)，會對閾值電壓產(chǎn)生影響： 其中： g 為襯底閾值參數(shù)或者體效應(yīng)系數(shù)； F 為強反型層的表面勢； VBS為襯底對源區(qū)的電壓； VT0為
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