場效應三極管ppt課件(參考版)
2025-05-10 00:11本頁面
【正文】 38 第四節(jié) 場效應三極管 上頁 首頁 課堂練習 。 、源極可以互換。 ，單極型，溫度穩(wěn)定性好。 ⑵ 漏源擊穿電壓 U（ BR)DS 在場效應管的漏極特性曲線上，當漏極電流 iD急劇上升產(chǎn)生雪崩擊穿時的 uDS 。一般為幾個皮法。 ⑵ 極間電容 場效應管三個電極之間的等效電容， 包括 CGS 、 CGD和 CDS 。 結(jié)型場效應管的 RGS一般在 107Ω以上， 絕緣柵場效應管的 RGS更高，一般大于 109Ω。 其定義是當 uDS一定時， 使漏極電流達到某一數(shù)值時所需加的 uGS值。 其定義是當 uDS一定時， 使 iD減小到某一個微小電流時所需的 uGS值。 它的定義是當 柵源之間的電壓 uGS等于零， 而漏源之間的電壓 uDS大于夾斷電壓時對應的漏極電流。 增強型： uGS = 0 時有導電溝道。 uGS 0 時，溝道變寬， iD 增大。 P型襯底 N+ N+ s g d B VGG N型溝道 VDD uDS對導電溝道的影響 下頁 上頁 首頁 30 第四節(jié) 場效應三極管 ⑶ 特性曲線 IDO UGS(th) 2UGS(th) 預夾斷軌跡 可變 電阻區(qū) 恒流區(qū) iD/mA uDS/V O uGS/V iD/mA O 2()? GSD D OG S( t h)uiIU當 uGS ≥ UGS(th)時 下頁 上頁 截止區(qū) 轉(zhuǎn)移特性曲線可近似用以下公式表示： 首頁 31 第四節(jié) 場效應三極管 3. N溝道耗盡型 MOS場效應管 預先在二氧化硅中摻入大量的正離子， 使 uGS = 0 時， 產(chǎn)生 N型導電溝道。 下頁 上頁 首頁 29 第四節(jié) 場效應三極管 uDS對導電溝道的影響 uGS為某一個大于 UGS(th)的固定值，在漏極和源極之間加正電壓，且uDS uGS UGS(th) 即 uGD = uGS uDS UGS(th) 則有電流 iD 產(chǎn)生， iD 使導電溝道發(fā)生變化。 N型溝道 uGS UGS(th)時 形成導電溝道 VGG 導電溝道的形成 假設 uDS = 0 ， 同時 uGS 0 靠近二氧化硅的一側(cè)產(chǎn)生耗盡層， 若增大 uGS ，則耗盡層變寬。 柵極與其他電極是絕緣的， 通常襯底與源極在管子內(nèi)部連接。 23 第四節(jié) 場效應三極管 三、絕緣柵場效應管 P N N G S D P型基底 兩個 N區(qū) SiO2絕緣層 導電溝道 金屬鋁 G
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