極管三極管ppt課件(參考版)
2025-05-04 00:01本頁面
【正文】 。 （ 3）晶體管的特性曲線，三個工作區(qū)域，電流放大倍數(shù)。 結(jié)型場效應(yīng)管 JFET 絕緣柵型場效應(yīng)管 MOS 場效應(yīng)管有兩種 : N溝道 P溝道 耗盡型 增強型 耗盡型 增強型 MOS絕緣柵場效應(yīng)管（ N溝道） （ 1） 結(jié)構(gòu) P N N G S D P型基底 兩個 N區(qū) SiO2絕緣層 金屬鋁 N導(dǎo)電溝道 未預(yù)留 ? N溝道增強型 預(yù)留 ? N溝道耗盡型 P N N G S D G S D N溝道增強型 （ 2）符號 N溝道耗盡型 G S D 柵極 漏極 源極 ? 耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線 ID mA V UDS UGS 實驗線路 (共源極接法 ) G S D 輸出特性曲線 UGS=0V U DS （ V） ID（ mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=1V UGS=2V 夾斷電壓 UP=2V 固定一個 U DS，畫出 ID和 UGS的關(guān)系曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線 ? 耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線 轉(zhuǎn)移特性曲線 0 ID UGS UP 夾斷電壓 跨導(dǎo) gm UGS=0V U DS （ V） ID（ mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=1V UGS=2V = ? ID / ? UGS =（ 32） /（ 10） =1/1=1mA/V ? UGS ? ID 本課重點 （ 1）二極管的特性曲線，靜態(tài)電阻， 動態(tài)電阻。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) 三極管開關(guān)電路 控制較大功率的 LED開關(guān) 167。手冊上給出的數(shù)值是 25?C、 基極開路時的擊穿電壓U(BR)CEO。 ICM 集電極電流 IC上升會導(dǎo)致三極管的 ?值的下降，當 ?值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。 當集電結(jié)反偏時，集電區(qū)的空穴漂移到基區(qū)而 形成的 ICBO 3. 集 射極反向截止電流 ICEO ICEO受溫度影響很大，當溫度上升時， ICEO增加很快，所以 IC也相應(yīng)增加。 B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO進入 N區(qū)，形成 IBE。基極電流的變化量為 ?IB， 相應(yīng)的集電極電流變化為 ?IC， 則 交流電流放大倍數(shù) 為： BIIC???? 主要參數(shù) 1. 電流放大倍數(shù) ? 和 ? _ _ ???BCII? ???????BCII?在以后的計算中， 一般作近似處理： ? = ?例： UCE=6V時 ： IB = 40 ?A, IC = mA； IB = 60 ?A, IC = mA。 即： UCE?UBE ， ?IBIC， UCE? (3) 截止區(qū)： UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。 輸出特性三個區(qū)域的特點 : (1) 放大區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。即： )( CEC UfI ?IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏， ?IBIC， UCE?和區(qū)。 當 UCE大于一定的數(shù)值時， IC只與 IB有關(guān)， IC
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