極管三極管ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-01 00:01本頁(yè)面
【正文】 倍數(shù) 為： BIIC???? 主要參數(shù) 1. 電流放大倍數(shù) ? 和 ? _ _ ???BCII? ???????BCII?在以后的計(jì)算中， 一般作近似處理： ? = ?例： UCE=6V時(shí) ： IB = 40 ?A, IC = mA； IB = 60 ?A, IC = mA。 基極反向截止電流 ICBO ?A ICBO ICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。 B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO進(jìn)入 N區(qū)，形成 IBE。 根據(jù)放大關(guān)系，由于 IBE的存在，必有電流 ?IBE。 當(dāng)集電結(jié)反偏時(shí)，集電區(qū)的空穴漂移到基區(qū)而 形成的 ICBO 3. 集 射極反向截止電流 ICEO ICEO受溫度影響很大，當(dāng)溫度上升時(shí)， ICEO增加很快，所以 IC也相應(yīng)增加。 三極管的溫度特性較差 。 ICM 集電極電流 IC上升會(huì)導(dǎo)致三極管的 ?值的下降，當(dāng) ?值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為 ICM。 射極反向擊穿電壓 U(BR)CEO 當(dāng)集 射極之間的電壓 UCE超過(guò)一定的數(shù)值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。手冊(cè)上給出的數(shù)值是 25?C、 基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓U(BR)CEO。 6. 集電極最大允許功耗 PCM ? 集電極電流 IC 流過(guò)三極管， 所發(fā)出的焦耳 熱為： PC =ICUCE ? 必定導(dǎo)致結(jié)溫 上升，所以 PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) 三極管開(kāi)關(guān)電路 控制較大功率的 LED開(kāi)關(guān) 167。 5 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管不同，它是多子導(dǎo)電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管有兩種 : N溝道 P溝道 耗盡型 增強(qiáng)型 耗盡型 增強(qiáng)型 MOS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（ N溝道） （ 1） 結(jié)構(gòu) P N N G S D P型基底 兩個(gè) N區(qū) SiO2絕緣層 金屬鋁 N導(dǎo)電溝道 未預(yù)留 ? N溝道增強(qiáng)型 預(yù)留 ? N溝道耗盡型 P N N G S D G S D N溝道增強(qiáng)型 （ 2）符號(hào) N溝道耗盡型 G S D 柵極 漏極 源極 ? 耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線 ID mA V UDS UGS 實(shí)驗(yàn)線路 (共源極接法 ) G S D 輸出特性曲線 UGS=0V U DS （ V） ID（ mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=1V UGS=2V 夾斷電壓 UP=2V 固定一個(gè) U DS，畫出 ID和 UGS的關(guān)系曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線 ? 耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線 轉(zhuǎn)移特性曲線 0 ID UGS UP 夾斷電壓 跨導(dǎo) gm UGS=0V U DS （ V） ID（ mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=1V UGS=2V = ? ID / ? UGS =（ 32） /（ 10） =1/1=1mA/V ? UGS ? ID 本課重點(diǎn) （ 1）二極管的特性曲線，靜態(tài)電阻， 動(dòng)態(tài)電阻。 （ 2）穩(wěn)壓二極管的特性曲線及穩(wěn)壓計(jì)算。 （ 3）晶體管的特性曲線，三個(gè)工作區(qū)域，電流放大倍數(shù)。 （ 4） N溝道 MOS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的特性 曲線，跨導(dǎo)。
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1