雙極性晶體三極管ppt課件-資料下載頁
2025-05-06 18:03本頁面
【正文】 CEO時，集電極電流會大幅度上升，此時，三極管被擊穿而損壞。 6）集電極最大允許功耗 PCM 集電極電流 IC流過三極管，所發(fā)出的功率為： PC=ICUCE PC?PCM 兩個結上消耗的功率分別等于通過結的電流乘以加在結上的電壓，一般集電結上消耗的功率比發(fā)射結大得多，用 PCM表示，這個功率將導致集電結發(fā)熱，結溫上升，當結溫超過最高工作溫度時，管子性能下降，甚至被燒壞。因此集電結的最高工作溫度決定了三極管的最大集電極耗散功率。 IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) 由 U(BR)CEO、 PCM、 ICM共同確定三極管的安全工作區(qū)，如圖所示。 半導體三極管的主要參數 （ 1）電流放大系數 (a)直流 (靜態(tài) ) (hFE) ?BCII??(b)交流 (動態(tài) ) ? (hfe) BCII????? 和 ?含義不同，但在輸出特性放大區(qū)內，曲線接近于平行等距， ??? 所以今后在使用時，一般用 ?代替 ，而不將二者分開。 ?由于制造工藝的分散性，同一型號的晶體管， ?值也有很大差別。常用的晶體管的 ?值一般在 20~100之間。 （ 2）極間反向電流 (a) 集 — 基反向飽和電流 ICBO (b) 集 — 射穿透電流 ICEO C B OC E O II )1( ??? ICBO是發(fā)射極開路時， 集 — 基反向飽和電流。通常希望 ICBO越小越好。在溫度穩(wěn)定性方面，硅管比鍺管好。 ICEO是基極開路時，從集電極直接穿透三極管到達發(fā)射極的電流。 （ 3）集 — 射反向擊穿電壓 U(BR)CEO 由 U(BR)CEO、 PCM、 ICM共同確定三極管的安全工作區(qū)，如圖所示。 是指當基極開路時，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓。集 — 射極之間電壓超過 U(BR)CEO時，集電極電流會大幅度上升，此時，三極管被擊穿而損壞。 0 uCE iC U(BR)CEO ICM uCEiC=PCM 安全工作區(qū) （ NPN） 過 損 耗 區(qū) （ 4）集電極最大允許耗散功率 PCM 兩個結上消耗的功率分別等于通過結的電流乘以加在結上的電壓，一般集電結上消耗的功率比發(fā)射結大得多，用 PCM表示，這個功率將導致集電結發(fā)熱，結溫上升，當結溫超過最高工作溫度時， 管子性能下降，甚至被燒壞。因此集電結的最高工作溫度決定了三極管的最大集電極耗散功率 （ 5）集電極最大允許電流 ICM 集電極電流 IC超過一定值時， ?值要下降，當 ?降到原來值的 2/3時，對應的 IC稱為 ICM
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