雙極型晶體管ppt課件(2)-資料下載頁(yè)
2025-05-06 18:03本頁(yè)面
【正文】 二次擊穿是功率晶體管早期失效或損壞的重要原因，它已成為影響功率晶體管安全可靠使用的重要因素。曲線上可用 A、 B、 C、 D四點(diǎn)將其分為四個(gè)區(qū)域。當(dāng)電壓 UCE增加到集電結(jié)的雪崩擊穿電壓時(shí)，首先在 A點(diǎn)發(fā)生雪崩擊穿的現(xiàn)象稱為一次擊穿；一次擊穿后，集電極反向電壓進(jìn)一步加大，電流 IC隨電壓增加很快上升。當(dāng)電流增加到 B點(diǎn)，晶體管突然由高壓狀態(tài)躍變到低壓，至 C點(diǎn)，而電流繼續(xù)增大，這一現(xiàn)象稱為二次擊穿。整個(gè)二次擊穿過程發(fā)生在微秒級(jí)甚至更短時(shí)間內(nèi)，若電路無限流措施，電流將繼續(xù)增加，直至最后燒毀。 晶體管的二次擊穿曲線 2）晶體管的安全工作區(qū) 晶體管的安全工作區(qū)是指晶體管能夠安全、可靠地進(jìn)行工作的電流和電壓范圍。超過此范圍的電流和電壓工作時(shí)，晶體管就有可能發(fā)生損壞。 安全工作區(qū)由最大允許集電極電流 ICM、擊穿電壓 BUCEO、晶體管最大耗散功率 PCM和二次擊穿臨界線來決定。 ? 晶體管的開關(guān)特性 晶體管開關(guān)電路原理圖如圖所示， RB為基極限流電阻，其取值應(yīng)使輸入 VI為高電平時(shí)，晶體管處于飽和狀態(tài)，而輸入 VI為低電平時(shí)，晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)。 當(dāng)輸入為高電平時(shí)，基極電流足夠大，晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)，由輸出特性可知，集電極與發(fā)射極之間的壓降很小，可忽略不計(jì)，相當(dāng)于集電極與發(fā)射極之間短路。在集電極回路中，晶體管相當(dāng)于一個(gè)閉合開關(guān)。 當(dāng)輸入為低電平時(shí)，晶體管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)，集電極的電流 IC=ICEO，對(duì)于性能良好的晶體管， ICEO一般很小，約等于 0，相當(dāng)于集電極與發(fā)射極之間開路。在集電極回路中，晶體管相當(dāng)于一個(gè)斷開的開關(guān)。 晶體管的開關(guān)作用，是通過基極控制信號(hào) IB，使晶體管在飽和態(tài)與截止態(tài)之間往復(fù)轉(zhuǎn)換來實(shí)現(xiàn)的。 晶體管作為開關(guān)使用與理想開關(guān)的主要差別在于，開態(tài)時(shí)晶體管開關(guān)上的壓降不等于零；關(guān)態(tài)時(shí)回路中還存在一定的電流 ICEO，因此回路電流也不等于零。 晶體管開關(guān)電路等效圖
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