【總結(jié)】2022/8/311晶體管參數(shù)培訓(xùn)資料2022/8/312主要內(nèi)容一、芯片介紹:二、芯片制程簡(jiǎn)介:三、芯片參數(shù)介紹:四、晶體管參數(shù)詳解:2022/8/313一、芯片介紹:目前芯片主要有以下幾類(lèi):1.二極管芯片;2.三極管芯片;3.可控硅芯片;2022/8/314
2025-08-16 01:05
【總結(jié)】第第3章章雙極結(jié)型晶體管雙極結(jié)型晶體管雙極結(jié)型晶體管基礎(chǔ)雙極結(jié)型晶體管基礎(chǔ)PN結(jié)正向電流的來(lái)源是多子,所以正向電流很大;反向電流的來(lái)源是少子,所以反向電流很小。如果給反偏PN結(jié)提供大量少子,就能使反向電流提高。給反偏PN結(jié)提供少子的方法之一是在其附近制作一個(gè)正偏PN結(jié),使正偏PN結(jié)注入的少子來(lái)不及復(fù)合就被反偏
2025-04-30 18:47
【總結(jié)】三極管基本放大電路基本放大電路,又稱(chēng)單管放大電路,一般是指由一個(gè)放大管與相應(yīng)元件組成的簡(jiǎn)單電路。,輸出電壓或電流在幅度上得到了放大,輸出信號(hào)的能量得到了加強(qiáng),但波形相同。能量實(shí)際上是由直流電源提供的,只是經(jīng)過(guò)三極管的控制,使之轉(zhuǎn)換成信號(hào)能量,提供給負(fù)載。共發(fā)射極、共集電極、共基
2024-12-08 04:42
【總結(jié)】毫伏表是一種測(cè)量交流電壓的儀器。電子設(shè)備的許多工作特性和多種控制信號(hào)都能由電壓參數(shù)顯示出來(lái),電壓測(cè)量是其他參數(shù)測(cè)量的基礎(chǔ),因此電壓的測(cè)量是十分重要的。本章以DA-16為例討論模擬式電子電壓表u電子電壓表的類(lèi)型很多,一般按測(cè)量結(jié)果的顯示方式將它們分為模擬式電子電壓表和數(shù)字式電子電壓表。?1.模擬式電子電表?模擬式電子電壓表,一般是用
【總結(jié)】第2章半導(dǎo)體三極管及基本放大電路又稱(chēng)半導(dǎo)體三極管、晶體管,或簡(jiǎn)稱(chēng)為三極管。(BipolarJunctionTransistor或BJT)三極管的外形如下圖所示。三極管按結(jié)構(gòu)分有兩種類(lèi)型:NPN型和PNP型。這里主要以NPN型為例進(jìn)行討論。圖三極管的外形和管腳排列雙極型三極管
2025-05-05 12:03
【總結(jié)】1、雙極型晶體三極管的基本結(jié)構(gòu)三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成。兩個(gè)PN結(jié)的連接方式不同有不同的類(lèi)型:NPN型和PNP型發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)從三個(gè)區(qū)分別引出一個(gè)端,分別稱(chēng)發(fā)射極E、基極B、集電極CEEBBCPPNNNPC三個(gè)區(qū)的
2025-05-06 18:03
【總結(jié)】制作:浙江廣廈建設(shè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院信息與控制工程學(xué)院晶體管開(kāi)關(guān)電路1一、模擬電路和數(shù)字電路?模擬信號(hào):在時(shí)間上和數(shù)值上連續(xù)的信號(hào)。?數(shù)字信號(hào):在時(shí)間上和數(shù)值上不連續(xù)的(即離散的)信號(hào)。?對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行傳輸、處理的電子線路稱(chēng)為模擬電路。?對(duì)數(shù)字信號(hào)進(jìn)行傳輸、處理的電子線路稱(chēng)為數(shù)字電路。2數(shù)字電路和模擬電路特
【總結(jié)】封面西藏·班公湖返回返回引言本頁(yè)完本頁(yè)完引言倍頻器是一種輸出頻率等于輸入頻率整數(shù)倍的電路,用以提高頻率,其優(yōu)點(diǎn)為返回返回1、發(fā)射機(jī)主振器的頻率可以降低,對(duì)穩(wěn)頻有利。振蕩器的頻率越高,頻率穩(wěn)定度應(yīng)越低。一般主振器頻率不宜超過(guò)5MHz。因此發(fā)射頻率高于5MHz,一般宜采用倍頻器。2、在采用石英晶體
2025-05-12 08:47
【總結(jié)】第二章雙極結(jié)型晶體管1第二章雙極結(jié)型晶體管雙極結(jié)型晶體管(bipolarjunctiontransistor,BJT)是最早出現(xiàn)的具有放大功能的三端半導(dǎo)體器件,自1948年誕生以來(lái),一直在高速電路、模擬電路和功率電路中占據(jù)著主導(dǎo)地位,因此,雙極結(jié)型晶體管也是我們學(xué)習(xí)的重點(diǎn)。通常所說(shuō)的晶體管就是指雙極結(jié)型晶體管。
2024-11-03 16:54
【總結(jié)】**1目 錄退 出下一頁(yè)上一頁(yè)最后一頁(yè)章節(jié)目錄**2目 錄退 出下一頁(yè)上一頁(yè)最后一頁(yè)第7章晶體管特性圖示儀本章要點(diǎn)§晶體管特性圖示儀的組成及原理框圖§?晶體管特性曲線的測(cè)量方法§?用晶體管特性圖示儀測(cè)量二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管**3目 錄退 出下一頁(yè)上
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件物理第五章第五章晶體管的開(kāi)關(guān)特性晶體管的開(kāi)關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理第第5章章晶體管的開(kāi)關(guān)特性晶體管的開(kāi)關(guān)特性二極管的開(kāi)關(guān)作用和二極管的開(kāi)關(guān)作用和反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間開(kāi)關(guān)晶體管的靜態(tài)特性開(kāi)關(guān)晶體管的靜態(tài)特性晶體管開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)特性晶體管開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)特性半導(dǎo)體器件物理第五章第五章晶體管的開(kāi)關(guān)特性晶體管的開(kāi)關(guān)特性半
【總結(jié)】ICmA?AVVUCEUBERBIBECEB測(cè)量電路晶體管和放大作用4——使用是否得當(dāng)取決于對(duì)電路的理解程度IC(或IE)?IB這就是晶體管的電流放大作用2)晶體管放大的外部條件1)放大原理直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)正偏反偏發(fā)射結(jié)集電結(jié)(1)輸入
【總結(jié)】場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管第四章絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管第四節(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管,用FET來(lái)表示(FieldEffectTransistor)。一、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是一種金屬—
2025-01-19 21:19
【總結(jié)】Tektronix572型晶體管特性圖示儀Tektronix572型晶體管特性圖示儀陰極射線管電源開(kāi)關(guān)集電極電源垂直部分顯示方式水平部分基極階梯信號(hào)測(cè)試臺(tái)部分集電極電源(COLLECTORSUPPLY)?極性選擇(POL/INV)按鈕:選擇集電極電壓正或負(fù)極性的。彈出為正,
2025-07-17 17:28
【總結(jié)】(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransnsator)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在微處理器和存儲(chǔ)器方面,MOS集成電路幾
2025-05-07 00:11