晶體管的開關(guān)特性ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-27 18:47 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 反向恢復(fù)時間限制了二極管的開關(guān)速度。 如果 脈沖持續(xù)時間比二極管反向恢復(fù)時間長得多 ，這時負(fù)脈沖能使二極管徹底關(guān)斷，起到良好的開關(guān)作用； 如果 脈沖持續(xù)時間和二極管的反向恢復(fù)時間差不多甚至更短的話 ，這時由于反向恢復(fù)過程的影響，負(fù)脈沖不能使二極管關(guān)斷。 所以要保持良好的開關(guān)作用，脈沖持續(xù)時間不能太短，也就意味著脈沖的重復(fù)頻率不能太高，這就限制了開關(guān)的速度。半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理 開關(guān)晶體管的靜態(tài)特性 晶體管共射開關(guān)電路原理圖 VBB 偏置電壓RL 負(fù)載電阻 半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理當(dāng)基極回路中輸入一幅值 VI遠(yuǎn)大于 VBB的正脈沖信號時，基極電流立即上升到 在驅(qū)動電流 IB的作用下，發(fā)射結(jié)電壓降逐漸由反偏變?yōu)檎?，晶體管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，集電極電流也將隨著發(fā)射結(jié)正向壓降的上升而增大。 當(dāng)集電極電流增加到負(fù)載電阻上的壓降 ICRL達到或者超過VCCVBE時，集電結(jié)將變?yōu)榱闫踔琳?，發(fā)射結(jié)上的壓降很小， C和 E之間近似短路，相當(dāng)于圖中 CE間的開關(guān) K閉合。 因此， 當(dāng)晶體管導(dǎo)通后，在集電極回路中，晶體管相當(dāng)于一個閉合開關(guān)。 半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理 當(dāng)基極回路的輸入脈沖為負(fù)或等于零時，晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置狀態(tài)。這時晶體管工作在截止區(qū)，集電極電流 IC=ICEO，對于性能良好的晶體管， ICEO一般很小，負(fù)載電阻上壓降很小，集電極和發(fā)射極之間的壓降 VCE≈VCC。 因此， 當(dāng)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時，晶體管相當(dāng)于一斷開的開關(guān)。 將晶體管導(dǎo)通后，工作在飽和區(qū)的開關(guān)電路，稱為飽和開關(guān) 。飽和開關(guān)接近于理想開關(guān)。 而把晶體管工作在放大區(qū)的開關(guān)電路，稱為 非飽和開關(guān) 。這種工作模式，一般用在高速開關(guān)電路中。半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理●晶體管的開關(guān)作用，是通過 基極控制信號 （ IB），使晶體管在飽和（或?qū)ǎB(tài)與截止態(tài)之間往復(fù)轉(zhuǎn)換來實現(xiàn)的。●它 與理想開關(guān)的主要差別 在于開態(tài)時晶體管開關(guān)上的壓降 ；關(guān)態(tài)時回路中還存在一定的電流 ICEO，因而回路電流 。小結(jié)小結(jié)半導(dǎo)體器件物理 第五章第五章 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理開關(guān)晶體管的工作狀態(tài) 晶體
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