雙極和mos晶體管ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-10 10:46 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 在 D、 S之間加上電壓不會(huì)在 D、 S間形成電流。 0＜ VGS＜ VTN時(shí)， SiO2中產(chǎn)生一垂直于表面的電場， P型表面上感應(yīng)出現(xiàn)許多電子，但電子數(shù)量有限 ,不能形成溝道。 當(dāng) VGS＞ VTN時(shí)，由于此時(shí)柵壓較強(qiáng)， P型半導(dǎo)體表層中將聚集較多的電子，可以形成溝道，將漏極和源極連通。如果此時(shí)加有漏源電壓，就可以形成漏極電流 ID。 在漏源電壓作用下開始導(dǎo)電時(shí)（即產(chǎn)生 iD）的柵源電壓為開啟電壓 VT 在柵極下方形成的導(dǎo)電溝道中的電子，因與 P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子空穴極性相反，故稱為 反型層 。 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 漏源電壓 VDS對(duì) iD的控制作用 VGS＞ VT后 ,外加的 VDS較小時(shí)， ID將隨著 VDS的增加而增大。 當(dāng) VDS繼續(xù)增加時(shí)， 由于溝道電阻的存在，溝道上將產(chǎn)生壓降，使得電位從漏極到源極逐漸減小，從而使得 SiO2層上的有效柵壓從漏極到源極增大，反型層中的電子也將從源極到漏極逐漸減小。 當(dāng) VDS大于一定值后， SiO2層上的有效柵壓小于形成反型層所需的開啟電壓，則靠近漏端的反型層厚度減為零，出現(xiàn)溝道夾斷， ID將不再隨 VDS的增大而增大，趨于一飽和值。 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 轉(zhuǎn)移特性曲線 iD=f(vGS)?VDS=const 輸入電壓與輸出電流間的關(guān)系曲線，對(duì)于共源電路，即： 2()D n G S TNi K v V??調(diào)制系數(shù) 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 輸出特性曲線 輸出電壓與輸出電流間的關(guān)系曲線，對(duì)于共源電路，即： iD=f(vDS)?VGS=const G D G S D S Tv v v V??微電子技術(shù)基礎(chǔ) VGS(th) = 3V VDS = 5 V 轉(zhuǎn)移特性曲線反映 VDS 為常數(shù)時(shí)， VGS 對(duì) ID 的控制作用，可由輸出特性轉(zhuǎn)換得到。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V V 4 V V VDS = 5 V ID/mA VGS /V O 1 2 3 4 5 轉(zhuǎn)移特性曲線中 ， ID = 0 時(shí)對(duì)應(yīng)的 VGS 值 ， 即開啟電壓 VGS(th) 。 微電子技術(shù)基礎(chǔ) ? NEMOS 管輸出特性曲線 ? 非飽和區(qū) 特點(diǎn)： ID 同時(shí)受 VGS 與 VDS 的控制。 當(dāng) VGS為常數(shù)時(shí)， VDS??ID 近似線性 ?，表現(xiàn)為一種電阻特性； 當(dāng) VDS為常數(shù)時(shí)， VGS ??ID ?，表現(xiàn)出一種壓控電阻的特性。 溝道預(yù)夾斷前對(duì)應(yīng)的工作區(qū)。 條件： VGS VGS(th) V DS VGS – VGS(th) 因此，非飽和區(qū)又稱為 可變電阻區(qū)。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V
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