三極晶體管參數(shù)培訓資料(編輯修改稿)
2024-09-12 01:05 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 2022/8/31 15 NPN晶體管制造流程的區(qū)別 PNP晶體管和 NPN晶體管在電路使用中基本是對稱的，因而在結(jié)構(gòu)上也是 基本對稱的，在制造中有以下幾個不同點： 襯底材料：襯底類型為 P型，由于 P型半導體比較容易與金屬形成歐姆接觸， 因此，摻雜濃度也不需要特別高，但外延生長的不易控制，厚外延困難。 N+擴散：在發(fā)射區(qū)擴散氧化之后，做一次 N+擴散，主要是為了增加基區(qū)的表面 濃度，為將來金屬形成良好的歐姆接觸做準備，同時也具有表面吸雜的作用。 P+環(huán)：對于 PNP晶體管來說， P+環(huán)具有非常重要的作用，如下圖，集電極反偏 時，二氧化硅中可動正離子向 SiO2Si界面移動，在硅表面感應(yīng)出電子，使硅反型導 致溝道漏電，增加 P+環(huán)后，切斷了溝道，有效地控制了漏電。 P+ P P N P+ P+環(huán) 2022/8/31 16 工藝流程圖 單晶片：晶向 ﹤ 111﹥ ，導電類型 N，電阻率、厚度根據(jù)產(chǎn)品要求，其他技術(shù)參數(shù)同國標要求或略嚴。 襯底擴散（三重擴散）：進行高濃度的襯底擴散，并且達到一定的結(jié)深。監(jiān)控 R ，XJ，翹曲度。 磨片、拋光：磨去一面的 N+層，袒露出 N硅，再進行機械化學拋光，除去磨片帶來的機械損傷層，獲得良好的表面。 N N N+ N+ N N+ 2022/8/31 17 3. 中大功率 系列晶體管制造流程 工藝流程圖 一次氧化：在高阻層 N表面熱生長（ H、O合成、水汽氧化或濕氧氧化）一層 SiO2，作基區(qū)擴散掩蔽層，一般厚度在 1μm左右，保證基區(qū)的選擇性擴散。 一次光刻：腐蝕去局部氧化層，開出基區(qū)擴散窗口，要求窗口內(nèi)氧化層腐蝕干凈，邊緣光滑，無毛刺，也不能過多腐蝕。 基區(qū)預(yù)淀積：利用離子注入、乳膠源或固態(tài)源淀積的方法，將硼原子分布于硅表面的薄層中，達到一定的表面濃度。 N+ N N+ N N+ N 2022/8/31 18 晶體管制造流程 工藝流程圖 基區(qū)氧化、再分布：在一定溫度、時間和氣氛中，將硼原子推入一定深度，形成集電結(jié)，并生長一定厚度的氧化層。監(jiān)控 R ，XJ，氧化層厚度 t。 二次光刻：腐蝕去局部氧化層，開出發(fā)射區(qū)擴散窗口，要求窗口內(nèi)氧化層腐蝕干凈，邊緣光滑，無毛刺，也不能過多腐蝕。 發(fā)射區(qū)預(yù)淀積：利用離子注入、液態(tài)源淀積的方法，將磷原子分布于硅表面的薄層中，達到一定的表面濃度。監(jiān)控 R N+ N P N+ N P N+ N P 2022/8/31 19 晶體管制造流程 工藝流程圖 發(fā)射區(qū)氧化、再分布：在一定溫度、時間和氣氛中，將磷原子推入一定深度，形成發(fā)射結(jié)，并生長一定厚度的氧化層。監(jiān)控 R ， hFE(XJ)，氧化層厚度 t。 1鋁下 CVD：在表面做一層 UDO或 PSG，改善 SIO2質(zhì)量。
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