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正文內(nèi)容

[工學(xué)]第三講雙極型晶體管(編輯修改稿)

2025-02-15 12:11 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 iC?。 iB ?, 傾斜的程度會增大。 iC ? ?iB ① 特性曲線平坦,近似為直線。 ② 特性曲線間隔均勻, iC 隨 iB 近似的成正比例變化。 ( BJT的放大作用) ③ 由于厄利效應(yīng),特性曲線隨uCE的增大略向上傾斜。 截止區(qū): (發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏) iB=0; iC= ICEO 三個電極電流近似為 0,沒有放大作用。 iC=f (uCE)?iB=常數(shù) uCE iC iB=0 飽和區(qū) BUCEO 擊穿區(qū) 截止區(qū) 臨界飽和線 iB=IB5 iB=IB4 iB=IB3 iB=IB2 iB=IB1 放大區(qū) 飽和區(qū): ( uCE uBE, 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏) ① 臨界飽和 : 集電結(jié)零偏, uCE=uBE或 uCB=0 臨界飽和時,仍有 iC = ?iB。 ② 進入飽和區(qū)后, iC隨 uCE的減小而明顯下降。 uCE減小使 集電結(jié)正偏加大,集電區(qū)的擴散電流將抵消部分 由發(fā)射區(qū)載流子轉(zhuǎn)化而來的電流,使集電極電流急劇下降。 ③ 各曲線幾乎重合, iC不再 隨 iB 成比例地變化 : iC ?iB。 ④ 飽和壓降 UCES: UCES隨 iC的增大而略有增大。 典型值: UCES=。 擊穿區(qū): uCE增大到一定值后, iC急劇增大,集電結(jié)反向擊穿。 (三)溫度對 BJT特性曲線的影響 T? ?輸入特性曲線左移,( 2~)mV/176。 C uCE/V iC T2 iB/?A uBE/V T2T1 T1 T? ?? ? , ( %~1%)/?C T? ?ICBO ? ?iC?, 輸出特性曲線上移 三、 BJT的主要特性參數(shù) 電流增益(電流放大倍數(shù)): ECII??BCII??——共射直流電 流放大倍數(shù) ——共基直流電 流放大倍數(shù) ECECiididi?????BCBCiididi????? ——共射交流電 流放大倍數(shù) ——共基交流電 流放大倍數(shù) 一般在電流不是很大的情況,可以認(rèn)為: ?????? 。今后不再區(qū)分直流還是交流,統(tǒng)一用 ?和 ?表示。 。1 ??? ?? ??? ?? 1極間反向電流: ( 1)集電極-基極反向飽和電流 ICBO: ( 2)集電極反向穿透電流 ICEO : + b c e V CC I C E O uA + b c e uA I e =0 V CC I C BO IB IC IB = ICBO, IC = ICBO ICEO= ( 1+?) ICBO ( P30 ) 與單個 PN結(jié)的反向飽和電流一樣。 ICBO的值很小,硅管小于 1181。A ,鍺管約 10181。A,受溫度影響很大。 此電流從集電區(qū)穿越基區(qū)流至發(fā)射區(qū),所以叫穿透電流。 ICBO和 ICEO都是衡量 BJT溫度穩(wěn)定性的重要參數(shù),因 ICEO大,容易測量,所以常把 ICEO作為判斷管子質(zhì)量的重要依據(jù)。 ICBO和 ICEO越小,說明其質(zhì)量越好。 ① 集電極最大允許電流 ICmax ——使 BJT的 β 值明顯減小的集電極電流。 ② 集電極最大允許功率損耗 PCmax 管子的功率損耗為: ③ 反向擊穿電壓: BUCBO:發(fā)射極開路時集電極-基極間的反向擊穿電壓。 + + uBE uCE b c e iC iE iB PCmax—pC的平均值不允許超過的極限值。 。BEBCECB J T uiuiP ?? BC ii ??CECB J T uiP ?集電極功率損耗 CpBUCEO: 基極開路時集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓。 BUEBO:集電極開路時發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓。 BUEBOBUCEO BUCBO 常用作選取 BJT集電極電源電壓的依據(jù)。 極限參數(shù): 詳見:康華光 《 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 》 P80~81 ? f 0 ① 共射 截止頻率 f?: ② 特征頻率 fT: ( BJT最重要的頻率參數(shù)) ?=1時對應(yīng)的頻率 (BJT喪失電流放大能力 ),與結(jié)電容有關(guān)。 fT 1 f? 0?)/(10?????ffj1)/(1)( 0 ?? ????ffjfTT ???? ff T 0應(yīng)用 BJT時,工作頻率應(yīng)遠(yuǎn)小于 fT 。 由于結(jié)電容的影響,頻率較高時 BJT的 ?值會隨頻率而變化: 時對應(yīng)的頻率。 ??0——BJT的直流 (低頻 )電流放大系數(shù)。 00 2????? BJT的頻率參數(shù): RC EC EB Rb iB iC iE + uS uBE uCE 這是一個放大電路, 這個電路 交直流并存 。 直流電路:保證 BJT工作在放大狀態(tài); 交流信號源: uS為待放大的信號。 問題: 如何求解支路電流 iB, iC, iE? 如何求解 BJT的極間電壓 uBE, uCE? 解決方法: 應(yīng)用疊加原理 用直流等效電路求解直流量: 用交流等效電路求解交流量: IB, IC, UBE, UCE ib, ic, ube, uce 問題:①直流電路中 BJT如何處理? ② 交流電路中 BJT如何處理? UBE= , IC=βIB (隱含條件) 用 BJT的交流小信號模型代替 BJT。 這個小信號模型是怎么來的?它的參數(shù)怎么計算? b rce c e rbe ?ib ib + ube + uce RC EC EB Rb iB iC iE + uS uBE uCE iB uBE 四、 BJT的交流小信號模型及參數(shù) uS?0,相當(dāng)于在靜態(tài)工作點上疊加交流信號:
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