場效應晶體管ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-03 00:11 本頁面
【文章內容簡介】 為一個非理想因子， z1； （ 5）擊穿區(qū) VDS增大到一定程度，使晶體管漏 襯底 PN結擊穿。 TGSDSVVIIze x p0?二、 PMOS管 I~V特性 電流 電壓表達式： 線性區(qū)： IDS=β P (|VDS||VTp||VDS|/2) |VDS| 飽和區(qū)： IDS=(β P/2)(|VGS||VTp|)178。 V g sGN Si襯底SDIs d =I d sIdsV d d P P V d s襯底偏置（背柵）效應 如果 MOS管的源區(qū)和襯底電壓不一致，就會產生襯底偏置效應，會對閾值電壓產生影響： 其中： g 為襯底閾值參數或者體效應系數； F 為強反型層的表面勢； VBS為襯底對源區(qū)的電壓； VT0為 VBS為 0時的閾值電壓； )(0 F???F??? BStt VVV g，襯底摻雜濃度越低，器件的閾值電壓將越小 壓有影響。 ，單位面積柵電容越大，閾值電壓將越小，柵氧化層厚度應綜合考慮 一般通過改變襯底摻雜濃度調整器件的閾值電壓 MOS晶體管類別 按載流子類型分： NMOS: 也稱為 N溝道，載流子為電子。 PMOS: 也稱為 P溝道，載流子為空穴。 按導通類型分： 增強型： 耗盡型： 四種 MOS晶體管： N溝增強型； N溝耗盡型； P溝增強型； P溝耗盡型 （ 1） N溝增強： D GSN+ N+P SiSGDVDS VGS=VT IDS VGS VT IDS (b)N溝耗盡： D GSN+ N+P SiSGDVDS VGS=VT IDS VGS VT IDS VGS=0 （ C） P溝增強 D GSP+ P+N SiSGDV ds ()V g= V tIds ()V gs () VtIds ()（ d） P溝耗盡 D GSP+ P+N SiSGDV
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