雙極型晶體管ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-10 10:48 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 BEpB B B E BBEnE E EWBBBEEWEN W WWNWN N x d xWN N x d xW????????????????其 中 平 均 雜 質(zhì) 濃 度 ： 晶體管的直流電流增益 （ 2）輸運(yùn)系數(shù) ? ? ? ? ? ?2 1101BxWBBN x N e e? ? ???? ?? ? ? ?其中， λ是與電場(chǎng)因子 η有關(guān)的系數(shù)。 均勻 基區(qū)晶體管 ： λ= 2 基區(qū)雜質(zhì) 線性 分布： λ= 4 基區(qū)雜質(zhì) 指數(shù) 近似： 2*21BnBWL???? 晶體管的直流電流增益 （ 3）共基極電流增益 2011 bebnbebW WLW??????? ? ?????（ 4）共射極電流增益 1201bebnbebW WLW???????????????????1201ebb nbRWRL??????????? ??????□□發(fā)射效率與均勻基區(qū)形式相同 晶體管的直流電流增益 提高放大系數(shù)的途徑 減小基區(qū)寬度； 提高發(fā)射區(qū)的雜質(zhì)濃度與基區(qū)雜質(zhì)濃度比NE/NB↑； 提高基區(qū)電場(chǎng)因子； 提高基區(qū) “ 少子 ” 壽命 。 ? 1. 發(fā)射結(jié)勢(shì)壘復(fù)合對(duì)電流放大系數(shù)的影響 11ne nepe ree ne pe r ene neIII II I I III? ? ? ?????考慮勢(shì)壘復(fù)合電流 Ire后 ， 小電流下的電流放大系數(shù)降低 ，大電流下 Ire可以忽略 。 2. 發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)對(duì)電流放大系數(shù)的影響 發(fā)射區(qū)過(guò)重的摻雜不僅不能提高發(fā)射效率，反而使發(fā)射效率降低 1）形成雜質(zhì)帶尾，禁帶變窄 39。ggg EEE ???3316EgsSNqEkT? ? ???發(fā)射區(qū)有效雜質(zhì)濃度降低為 : ? ? ? ? ? ? ? ?22 e x pie f f E E gienN x N x N x E k Tn? ? ? ?? ? ??????? De f fDiig NNnnE 2發(fā)射區(qū)有效雜質(zhì)濃度降低，導(dǎo)致發(fā)射效率下降。 2）俄歇復(fù)合（ 帶間直接復(fù)合 ） 1 1 1p T A? ? ???發(fā)射區(qū)少子空穴壽命 隨著俄歇復(fù)合的增加而降低。 俄歇復(fù)合 通過(guò)復(fù)合中心復(fù)合 p?? ?，俄歇復(fù)合壽命SiNnCnA ?? 201?少子空穴壽命縮短使注入到發(fā)射區(qū)的空穴增加，發(fā)射效率 ↓。 *0 1n e r b s b r b s bn e n e n eI I I I II I I???? ? ? ?表面復(fù)合對(duì)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)的影響可表示為 *0 21 2b S bn b e n bW S A WL A D? ? ? ?? ?*0 21 0Bb S bn b e n b BW S A W NL A D N? ?? ? ?對(duì)均勻基區(qū)： 對(duì)緩變基區(qū)： S為表面復(fù)合速率 體復(fù)合 表面復(fù)合 基區(qū)表面復(fù)合使基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)變小，電流放大系數(shù)下降。 共射極輸出特性曲線上 VBC ＝ 0 點(diǎn)的切線與 VCE 軸負(fù)方向交于一點(diǎn)，該點(diǎn)電壓稱為 Early電壓。 VEA越大，說(shuō)明基區(qū)寬變效應(yīng)越小。 IC VCE －VEA IB增大 39。00 1CEEAVV??????????基區(qū)有效寬度隨集電結(jié)偏壓而變化的現(xiàn)象稱為基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（厄爾利效應(yīng)） 4. 基區(qū)寬變效應(yīng) 有寬變效應(yīng)的電流放大系數(shù)： 基區(qū)變窄： 發(fā)射效率和基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)增加 。 晶體管的特性參數(shù) 晶體管的放大系數(shù) 共基極直流放大系數(shù)和交流放大系數(shù) ?0 、 ? ecII?0?000 1 ??????? cecIII兩者的關(guān)系 ecii??????? 1共發(fā)射極直流放大系數(shù)交流放大系數(shù) ?0、 ? bcII?0?bcii?? 晶體管的反向 電流 一、定義 晶體管某二個(gè)電極間加反向電壓，另一電極開(kāi)路時(shí)流過(guò)管中的電流稱其 反向電流 。 IEBO：集電極極開(kāi)路，發(fā)射極與基極間反偏，流過(guò)發(fā)射結(jié)的電流。 ICBO：發(fā)射極開(kāi)路，集電極和基極間反偏，流過(guò)集電結(jié)的電流。 ICEO：基極開(kāi)路，發(fā)射極和集電極間反偏，流過(guò)發(fā)射極和集電極的電流 。 I V Iebo I V Icbo I V Iceo 二、反向電流的來(lái)源 實(shí)際的晶體管反向電流應(yīng)包括 反向擴(kuò)散電流 ， 勢(shì)壘產(chǎn)生電流 和 表面漏電流 。 ? 對(duì) Ge管：主要是反向擴(kuò)散電流 ? 對(duì) Si管：主要是 勢(shì)壘產(chǎn)生電流 ，表面電流視工藝而定 0C E CB OI I I???0BI ? C E C EOI I I??0 0 0 0C E C E C BI I I???0 0 0(1 )C E C BII???0 0 0 001 ( 1 )1C E C B C BI I I??? ? ??共基極接法 ， 信號(hào)放大的同時(shí) ， 相應(yīng)的漏電流也增大了 倍 ( 1)?? 晶體管的擊穿電壓 BVebo
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