【總結】晶體管開關特性二極管的開關特性三極管的開關特性加速電容的作用晶體管開關特性在脈沖電路中,二極管和三極管通常作為“開關”使用。二極管的開關特性一、二極管的開關作用IDI,0VVVVIR????1.正向偏置時,
2024-11-21 02:22
【總結】1第一章:電力二極管和晶閘管?第一節(jié)電力二極管?第二節(jié)晶閘管?第三節(jié)雙向晶閘管及其他派生晶閘管?本章小節(jié)2AKAKa)第一節(jié)電力二極管?電力二極管是指可以承受高電壓大電流具有較大耗散功率的二極管,它與其他電力電子器件相配合,作為整流、續(xù)流、電壓隔離、鉗位或
2025-05-10 15:48
【總結】MOS場效應晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結構、工作原理和輸出特性MOS場效應晶體管的結構基本工作原理和輸出特性MOS場效應晶體管的分類MOS場效應晶體管的閾值電壓M
2025-01-14 04:31
【總結】晶體管放大電路基礎?放大電路概述及性能指標?單管共射放大電路的組成?放大電路的分析方法?放大電路是應用最廣泛的一類電子線路。它的主要功能是將輸入電信號進行不失真的放大輸出。?在廣播、通信、自動控制、電子測量等各種電子設備中,放大電路是必不可少的組成部分。1、概述基本概念簡單的例子:揚聲器是怎樣工作的?
2025-01-20 07:00
【總結】晶體管規(guī)則陣列設計技術VLSIC是高度復雜的集成系統(tǒng),為保證設計的正確性并且降低設計難度,提高設計效率,避免由于在版圖設計過程中采用復雜結構而引入不可靠因素,因此,在VLSI的設計技術中大量地采用規(guī)則結構,晶體管規(guī)則陣列設計技術就是其中之一。在這個結構中的基本單元就是MOS晶體管或CMOS晶體
【總結】模塊三晶體管電路的應用任務一認識晶體管及特性單元目標:熟悉晶體管的結構和符號表達;掌握晶體管的輸入輸出特性;掌握汽車晶體管的型號命名;熟練掌握晶體管的簡易測試方法活動一認識晶體管的結構和符號晶體管類似于兩個背靠背連接的二極管,通過圖1-21的實物形狀請你想一想怎樣把兩個PN結畫在一起。圖1-21晶
2025-01-04 01:31
【總結】實驗二晶體管元件的認識和測量實驗目的1、掌握用數字萬用表鑒別晶體管的性能;2、了解晶體管特殊性圖示儀的簡單原理及使用方法,用晶體管的特性圖示儀測量晶體管的特性曲線和參數;3、繪制小功率晶體管的特性曲線,并運用特性曲線求參數。實驗器材晶體管特性圖示儀XJ4810一臺;數字萬用表UT56一只;晶體三極管
2025-04-29 12:07
【總結】1Tektronix370ProgrammableCurveTracer可編程特性曲線圖示儀2測試步驟切斷斷路器(ENABLE/DISABLE)插器件、選接線(根據要測的特性)設置檔位(根據Datasheet或合理預期)合上斷路器(ENABLE/DISABLE)施加電壓(增大VC和/或
2025-05-12 19:06
【總結】場效應晶體管場效應管的特點結型場效應管絕緣柵場效應管第四章絕緣柵場效應管結型場效應管第四節(jié)場效應晶體管簡稱場效應管,用FET來表示(FieldEffectTransistor)。一、絕緣柵場效應管絕緣柵場效應管是一種金屬—
2025-07-18 18:48
【總結】晶體管低頻電壓放大電路?實驗目的?實驗原理?實驗電路和內容?注意問題實驗目的;和測量方法;、輸入電阻、輸出電阻以及頻率特性。實驗原理利用電流控制器件晶體三極管組成的電壓放大電路來實現對電壓信號的有效控制和放大。同時加入反饋措施可以有效改善電路性能。實驗
2024-10-17 15:08
【總結】第三章晶體管放大電路基礎(全書重點)放大電路的工作原理及分析方法BJT偏置電路(直流通路:提供合適的靜態(tài)工作點Q點,保證BJT發(fā)射結正偏,集電結反偏,放大信號始終處在放大工作區(qū),避免出現截止及飽和失真。介紹固定基流電路,基極分壓射極偏置電路)放大電路的技術指標及基本放大電路(本章討論小信號放大器的基本指
2025-08-01 16:49
【總結】雙極型晶體管雙極型三極管BJT結構PNebcNebc集電區(qū)N發(fā)射區(qū)N基區(qū)Pebc集電結發(fā)射結集電極發(fā)射極基極PebNPcPNP電路符號bPNeNcNPN電路符號第二章
2024-12-07 23:52
【總結】HIT基礎電子技術電子教案雙極型半導體晶體管雙極型晶體管的工作原理雙極型晶體管的結構雙極型晶體管的電流分配關系晶體管的電流放大系數晶體管的特性曲線晶體管的參數
2025-05-12 23:17
【總結】微電子器件原理第七章MOS場效應晶體管2第七章MOS場效應晶體管§基本工作原理和分類§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結構§開關特性§
2025-05-01 22:36
【總結】雙端MOS結構1、MOS結構及其場效應2、半導體的耗盡及反型3、平衡能帶關系4、柵壓-平帶電壓和閾值電壓5、電容(C-V)特性MOS-V+a.MOS結構b.電場效應1、雙端MOS結構及其場效應-V+_______
2025-05-10 19:00