雙極型半導(dǎo)體晶體管(編輯修改稿)
2025-06-08 23:17 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 型半導(dǎo)體晶體管 運(yùn)動(dòng)到集電結(jié)的電子基本上 都可以被集電區(qū)收集，此后 UCE再增加，電流也沒(méi)有明 顯的增加，特性曲線(xiàn)進(jìn)入與 UCE軸基本平行的區(qū)域 。 當(dāng) UCE增加到使集電結(jié)反偏電壓較大時(shí)，如 UCE ≥1 V、 UBE ≥ V 圖 共射接法輸出特性曲線(xiàn) O6323uC E / ViC/ m A149 1 21 0 08 06 04 0IB= 02 0C E OIμAμAμAμAμAμAHIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 輸出特性曲線(xiàn)可以分為三個(gè)區(qū)域 : O6323uC E / ViC/ m A149 1 21 0 08 06 04 0IB= 02 0C E OIμAμAμAμAμAμA飽和區(qū) —— iC受 uCE顯著控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi) uCE的 數(shù)值較小，一般 UCE＜ V(硅管 )。此時(shí) 發(fā)射結(jié)正偏， 集電結(jié)正偏 或反偏電壓很小 。 截止區(qū) —— iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線(xiàn)的下方。 此時(shí)， 發(fā)射結(jié)反偏， 集電結(jié)反偏。 放大區(qū) —— iC平行于 uCE軸的區(qū)域，曲線(xiàn)基本平行等距。 此時(shí)， 發(fā)射結(jié)正偏， 集電結(jié)反偏， 電壓UCE大于 V (硅管 ) 。 飽和區(qū)區(qū)大放截止區(qū)圖 輸出特性曲線(xiàn)的分區(qū) HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 若考慮晶體管安全工作的因素，輸出特性曲線(xiàn)還可以增加過(guò)電流區(qū)、過(guò)損耗區(qū)和過(guò)電壓區(qū)： OuC E / ViC / m A飽和區(qū)截止區(qū)安全工作區(qū)圖 輸出特性曲線(xiàn)的安全工作區(qū) 過(guò)電流區(qū) 是集電極電流達(dá)到 ICM和超過(guò) ICM以上的部分，此時(shí)，晶體管的電流放大系數(shù) ? 下降到規(guī)定值以下。 過(guò)損耗區(qū)P CM過(guò)流區(qū)ICM 過(guò)損耗區(qū) 由晶體管的集電極最大功率損耗值確定，是一條曲線(xiàn)，在曲線(xiàn)的上方功耗超標(biāo)，晶體管將過(guò)熱損壞。 過(guò)電壓區(qū) 由 U (BR)CEO決定 ,超過(guò)該值，易造成晶體管擊穿損壞。 電壓區(qū)過(guò) 曲線(xiàn)中間部分安全工作區(qū)。 HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 晶體管的參數(shù)分為三大類(lèi) : 直流參數(shù) 交流參數(shù) 極限參數(shù) 直流電流放大系數(shù) 直流參數(shù) C O N S TBQCQBQC E OCQCE ????uIIIII? 對(duì)共射組態(tài)的直流電流放大系數(shù)，輸出電流是集電極電流 ICQ，輸入電流是基極電流 IBQ，二電流之比可定義： 晶體管的參數(shù) 共發(fā)射極組態(tài)直流電流放大系數(shù) HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 在放大區(qū)基本不變，在共發(fā)射極輸出特性曲線(xiàn)上，通 過(guò)垂直于 X軸的直線(xiàn) (uCE=const)來(lái)求取 IC / IB ，如圖 所示。在 IC較小時(shí)和 IC較大時(shí)， 會(huì)有所減小，在放大區(qū)的 中間部分直流電流放大系數(shù)因輸出特性曲線(xiàn)平行等距， 基 本是常數(shù)。 ?O6323uCE / ViC/ m A149 1 21 0 08 06 04 0IB= 02 0IC QIB C E OIμAμAμAμAμA? ?HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 EQCQEQCBOCQIIIII???? 顯然 與 之間有如下關(guān)系 : ????????????1)1( BQBQEQCQIIII? 稱(chēng)為共基極組態(tài)直流電流放大系數(shù)。它表示最后達(dá)到集電極的電子電流 ICN與總發(fā)射極電流 IE的比值。 ICN與 IE相比，因 ICN中沒(méi)有 IEP和 IBN，所以 的值小于 1， 但接近 1。根據(jù)定義可得出： ? 共基極組態(tài)直流電流放大系數(shù) ?HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案 雙極型半導(dǎo)體晶體管 BC B OBBC 1)11( IIIII?????????BB 1)1( II??????
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