11半導(dǎo)體二極管(編輯修改稿)
2024-11-23 08:25 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 到不同的 VBE 和 IB 。 由圖可見(jiàn)： （ 1） 當(dāng) V CE ≥ 1 V 時(shí) ， 特性曲線基本重合 。 （ 2） 當(dāng) VBE 很小時(shí) ， IB 等于零 ， 三極管處于截止?fàn)顟B(tài) 。 半導(dǎo)體三極管 （ 4） 三極管導(dǎo)通后 ， VBE 基本不變 。 硅管約為 V ， 鍺管 約為 V ， 稱為三極管的導(dǎo)通電壓 。 （ 5） VBE 與 IB 成非線性關(guān)系 。 （ 3） 當(dāng) VBE 大于門檻電壓 （ 硅管約 V， 鍺管約 V）時(shí) ， IB 逐漸增大 ， 三極管開(kāi)始導(dǎo)通 。 半導(dǎo)體三極管 輸出特性 ：在 IB 一定條件下時(shí) ， 集電極極與發(fā)射極之間的電壓 VCE 和集電極電流 IC 之間的關(guān)系 。 2． 輸出特性曲線 半導(dǎo)體三極管 先調(diào)節(jié) RP1， 使 IB 為一定值 ， 再調(diào)節(jié) RP2 得到不同的 VCE、 IC。 測(cè)試電路如圖所示 。 輸出特性曲線 半導(dǎo)體三極管 條件： 發(fā)射結(jié)反偏或兩端電壓為零。 （ 2）放大區(qū) 條件： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 特點(diǎn)： IC 受 IB 控制 ，即 ?IC = ??IB 。 在放大狀態(tài) ， 當(dāng) IB 一定時(shí) ， IC 不隨 VCE 變化 ， 即放大狀態(tài)的三極管具有恒流特性 。 （ 3）飽和區(qū) 條件： 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正偏。 VCES 稱為飽和管壓降，小功率硅管約 V，鍺管約為 V。 輸出特性曲線族可分三個(gè)區(qū)： 特點(diǎn)： VCE = VCES。 （ 1）截止區(qū) 特點(diǎn)： IB = 0， IC = ICEO 。 半導(dǎo)體三極管 3． 三極管的主要參數(shù)： ② 集電極 — 發(fā)射極反向飽和電流 ICEO。 ① 集電極 — 基極反向飽和電流 ICBO。 （ 2） 極間反向飽和電流 選用管子時(shí) ， ? 值應(yīng)恰當(dāng) ， 一般說(shuō)來(lái) ， ? 值太大的管子工作穩(wěn)定性差 。 （ 1） 共射極電流放大倍數(shù) ? 兩者關(guān)系： ICEO = （ 1 + ? ） ICBO 半導(dǎo)體三極管 （ 3） 極限參數(shù) ② 反向擊穿電壓 。 當(dāng)基極開(kāi)路時(shí) ， 集電極與發(fā)射極之間所能承受的最高反向電壓 — V（ BR） CEO。 當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí) ， 集電極與基極之間所能承受的最高反向電壓 — V（ BR） CBO。 當(dāng)集電極開(kāi)路時(shí) ， 發(fā)射極與基極之間所能承受的最高反向電壓 — V（ BR） EBO。 半導(dǎo)體三極管 當(dāng) IC 過(guò)大時(shí) ， 電流放大系數(shù) ? 將下降 。 在技術(shù)上規(guī)定 ，? 下降到正常值的 2/3 時(shí)的集電極電流稱集電極最大允許電流 。 ① 集電極最大允許電流 ICM。 在三極管因溫度升高而引起的參數(shù)變化不超過(guò)允許值時(shí) ，集電極所消耗的最大功率稱集電極最大允許耗散功率 。 三極管應(yīng)工作在三極管最大損耗曲線圖中的安全工作區(qū) 。 三極管最大損耗曲線如圖所示 。 ③ 集電極最大允許耗散功率 PCM 半導(dǎo)體三極管 1． 用萬(wàn)用表判別三極管的管型和管腳 方法： ① 黑表筆和三極管任一管腳相連 ， 紅表筆分別和另外兩個(gè)管腳相連測(cè)其阻值 ， 若阻值一大一小 ， 則將黑表筆所接的管腳調(diào)換重新測(cè)量 ， 直至兩個(gè)阻值接近 。 如果阻值都很小 ， 則黑表筆所接的為 NPN 型三極管的基極 。 若測(cè)得的阻值都很大 ， 則黑表筆所接的是 PNP 型三極管的基極 。 三極管的簡(jiǎn)易測(cè)試 半導(dǎo)體三極管 ② 若為 NPN 型三極管 ， 將黑紅表筆分別接另兩個(gè)引腳 ，用手指捏住基極和假設(shè)的集電極 ， 觀察表針擺動(dòng) 。 再將假設(shè)的集電極和發(fā)射極互換 ， 按上述方法重測(cè) 。 比較兩次表針擺幅
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