【文章內(nèi)容簡介】 反向反向擊穿電壓實(shí)際上大于40V。 2022/2/15 第 2 章 68 ?3. 反向電流 IR 是指管子未擊穿時(shí)的反向電流，其值越小，管子的單向?qū)щ娦栽胶谩? ?溫度的增加會(huì)使反向電流劇增，使用二極管時(shí)要注意溫度的影響。 2022/2/15 第 2 章 69 ? 4. 極間電容 ? (1). 勢壘電容 CB ? PNJ的勢壘電容是用來描述勢壘區(qū)的空間電荷隨外加電壓變化而產(chǎn)生的電容效應(yīng)的。 ?外加正 (反 )向電壓升高時(shí)，相當(dāng)于電容“充電” (空間電荷區(qū)變窄 (寬 ))(如圖 (a)所示 )；當(dāng)外加電壓降低時(shí)，相當(dāng)于電容“放電” (空間電荷區(qū)變寬 (窄 ))(如圖 (b)所示 )。 ［轉(zhuǎn) 71］ 2022/2/15 第 2 章 70 2022/2/15 第 2 章 71 ?當(dāng)外加電壓頻率越高時(shí)，勢壘電容的作用越明顯。且外加反向電壓時(shí)， CB的作用較明顯。 ? (2). 擴(kuò)散電容 CD ? CD 反映了在外加電壓作用下，載流子在擴(kuò)散過程中的積累效應(yīng)。主要表現(xiàn)在 PNJ正偏時(shí)的電容效應(yīng)。 2022/2/15 第 2 章 72 ? (3). PNJ的高頻等效電路 ? 如圖 。 r 表示結(jié)電阻， C 表示結(jié)電容。 2022/2/15 第 2 章 73 ? 5. 二極管的其它參數(shù) ?參閱表 ? 6. 半導(dǎo)體器件的命名方法 ?附：半導(dǎo)體器件型號命名方法 ? (根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn) GB249— 74) ? 1．半導(dǎo)體器件的型號由 五個(gè)部分 組成 ? 2．型號組成部分的符號及其 意義 (見 P44表 ) ［轉(zhuǎn) 76］ 2022/2/15 第 2 章 74 2022/2/15 第 2 章 75 2022/2/15 第 2 章 76 二極管基本電路及其分析方法 ? 二極管正向 V－ I 特性的建模 ? 1. 理想模型 ?如圖 ? (a)所示，為理想二極管的 VI 特性 (黑線表示實(shí)際特性，紫線表示理想模型 )； ? (b)為其電路符號。由 (a)可見，二極管正偏時(shí)，管壓降為 0，反偏時(shí)，其電阻為 ∞，電流為零。 ［轉(zhuǎn) 78］ 2022/2/15 第 2 章 77 2022/2/15 第 2 章 78 ? 2. 恒壓降模型 ?如圖 (a)所示，為恒壓降二極管模型的 V－ I 特性 (黑線表示實(shí)際特性，紫線表示理想模型 )； (b)為其電路符號。 ?由 (a)可見，二極管正偏時(shí)，管壓降認(rèn)為是恒定的，且不隨電流而改變，典型值為 (當(dāng) iD≥1mA時(shí)才是正確的 )。反偏時(shí)，其電阻為∞，電流為零。 ［轉(zhuǎn) 80］ 2022/2/15 第 2 章 79 2022/2/15 第 2 章 80 ?3. 折線模型 ?如 圖 。這種模型更接近實(shí)際特性，在此認(rèn)為，管壓降是隨著通過二極管的電流而增加的。其中 V th 為門坎電壓 (硅管為 ，鍺管為 )， rD 為一等效電阻。 ［轉(zhuǎn) 82］ 2022/2/15 第 2 章 81 2022/2/15 第 2 章 82 ? 4. 小信號模型 ?如 圖 ，在靜態(tài)工作點(diǎn)附近，可把二極管看成為一條直線，該直線斜率的倒數(shù)就是所求的小信號模型的微變電阻 rd 參考圖(a)，可求得 rd 為： rd=ΔvD /ΔiD ［轉(zhuǎn) 84］ 2022/2/15 第 2 章 83 2022/2/15 第 2 章 84 ? rd還可以通過二極管 V－ I 特性表達(dá)式求得。 )1( / －TD VvSD eIi ?對上式 求 i D對 vD 的微分可得微變電導(dǎo) )()]1([//點(diǎn)上在　?。絈VIVieVIeIdvddvdigTDTDVvTSVvSDDDdTDTD????2022/2/15 第 2 章 85 由此可得 ?例如，當(dāng) Q點(diǎn)上的 I D＝ 2mA時(shí) rd＝ 26mV／ 2mA＝ 13Ω。 )時(shí)300K＝()mA()mV(261 TIIVgrDDTdd 當(dāng)???() 2022/2/15 第 2 章 86 模擬分析法應(yīng)用 ? 1. 二極管電路的靜態(tài)工作情況分析 ?例 設(shè)簡單二極管基本電路如 圖 所示， R＝ 10kΩ，圖 b是它的習(xí)慣畫法。對于下列兩種情況，求電路的 ID和 VD的值：(1)VDD＝ 10V； (2)VDD＝ 1 V。在每種情況下，應(yīng)用理想模型、恒壓降模型和折線模型求解。 ［轉(zhuǎn) 88］ 2022/2/15 第 2 章 87 2022/2/15 第 2 章 88 ?解：圖 ，虛線左邊為線性部分，右邊為非線性部分。符號”丄 ”為參考電位點(diǎn)，或叫“地”，即電路的共同端點(diǎn)。電路中任一點(diǎn)的電位，都是對此共同端而言的。為了簡單起見，圖 a所示的電路常采用圖 b所示的習(xí)慣畫法，今后經(jīng)常用到?，F(xiàn)按題意，分別求解如下： 2022/2/15 第 2 章 89 ? (1)VDD＝ 10V ? ① 使用理想模型得 ? VD＝ 0V， ID＝ VDD／ R＝ 10V／ 10kΩ＝ 1 mA ? ② 使用恒壓降模型得 0 . 9 3 m A＝ 10k 0 . 7 V10V＝ ＝，0 . 7 V＝ DDDDD ?－－R VVIV2022/2/15 第 2 章 90 ③使用折線模型得 VD＝ +ID rD＝ V+ mA k ＝ 0 . 9 3 1 m A＝ 0 . 5 V10V＝ ＝DthDDD ????－－rRVVI2022/2/15 第 2 章 91 (2)VDD＝ 1 V ①使用理想模型得 ②使用恒壓降模型得 0 . 1 m A＝ 1 0 k1V＝ ＝V0 DDDD ?? RVIV ，0 . 0 3 m A＝ 10k 0 . 7 V1V＝ ＝ DDDD ?? －－， RVIV2022/2/15 第 2 章 92 ③使用折線模型得 VD＝ +ID rD＝ V+ mA k ＝ 0 . 0 4 9 m A＝ 0 . 5 V1V＝ ＝DthDDD ????－－rRVVI2022/2/15 第 2 章 93 ?上例表明，在電源電壓遠(yuǎn)大于二極管管壓降的情況下，恒壓降模型能得出較合理的結(jié)果，但當(dāng)電源電壓較低時(shí)，折線模型能提供較合理的結(jié)果。正確選擇器件的模型，是電子電路工作者必須掌握的基本技能。 2022/2/15 第 2 章 94 2．限幅電路 ?在電子技術(shù)中，常用限幅電路對各種信號進(jìn)行處理。它是用來讓信號在預(yù)置的電平范圍內(nèi)，有選擇地傳輸一部分。現(xiàn)舉例說明。 2022/2/15 第 2 章 95 ?例 一限幅電路如 圖 (a)所示， R＝ 1k ， VREF＝ 3V。 (1)vI＝ 0V、 4V、 6V時(shí)，求相應(yīng)的輸出電壓 v O的值； (2)當(dāng) v i＝ 6sin t V時(shí)，繪出相應(yīng)的輸出電壓 vO的波形。 ［轉(zhuǎn) 97］ 2022/2/15 第 2 章 96 202