半導(dǎo)體二極管及其基本電路(2)(編輯修改稿)
2024-11-15 12:48 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 名規(guī)則 結(jié)構(gòu)類型和符號 二極管 = PN結(jié) + 引線 + 管殼。 類型： 點接觸型、面接觸型 和 平面型 (1) 點接觸型 — (a)點接觸型 一、結(jié)構(gòu)類型 PN結(jié)面積小，結(jié)電容小， 用于檢波和變頻等高頻電路 (c)平面型 (3) 平面型 — (2) 面接觸型 — (b)面接觸型 二、符號 舊符號 新符號 陽極 (Anode) 陰極 (Cathode) 標(biāo)記 D1 D2 Diode PN結(jié)面積大，用 于工頻大電流整流電路 往往用于集成電路制造工藝中。 PN 結(jié)面積 可大可小 ， 用于高頻整流和開關(guān)電路中。 伏安特性 IS :反向飽和電流 VT =kT/q :溫度的電壓當(dāng)量 室溫（ T=300 K） 下 ， VT=26 mV 一、二極管方程 （定量） )1(e TS ?? VVII理想二極管 (PN結(jié)）方程： 圖 理想二極管的伏安特性曲線 定性 —— 單向?qū)щ娦? 主要參數(shù) (1) IF—— 最大整流電流 (2) VBR—— 反向擊穿電壓 指二極管反向加電壓時，使反向電流突然增大時的電壓。不同的二極管有不同的反向擊穿電壓。一般手冊中給出的反向電壓是實際的一半。 指正常功率下的正向平均電流；根據(jù)二極管功率不同，由幾 mA到幾百安培不等 (3) IR（ IS） —— 反向飽和電流 指二極管反向加電壓時，在沒有擊穿前的電流。愈小愈好。一般幾納安到幾微安。 硅 (nA)級；鍺 (?A)級 (5) rd —— 動態(tài)電阻 rd =?VF /?IF 二極管正向特性曲線斜率的倒數(shù) (4)—— 極間電容 C： 正向擴(kuò)散電容 CD：由于 PN結(jié)正向?qū)щ娛峭ㄟ^電子和空穴擴(kuò)散的結(jié)果。而擴(kuò)散必須有載流子的濃度積累，這就產(chǎn)生了擴(kuò)散電容。 反向勢壘電容 CB：二極管反向 PN結(jié)形成電荷勢壘。 相當(dāng)于二塊平行板電容。反向電壓愈高電容愈小 近似計算公式如下 ： D。DBDQ d QCCdUU???? 型號命名規(guī)則 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下： 部分國產(chǎn)半導(dǎo)體高頻二極管參數(shù)表 最高反向工作電壓 （峰值） V 反向擊穿電壓 V 正向電流 mA 反向電流 μA 最高工作頻率 MHZ 極間電容 Pf 最大整流電流 mA 2AP1 20 ≥40 ≥ ≤250 150 ≤1 16 2ck7 100 ≥150 ≥ ≤250 300 ≤ 20 部分國產(chǎn)半導(dǎo)體整流二極管參數(shù)表 最大整流 電流 A 最高反向工作電壓 （峰值） V 最高
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