清華大學模擬電子技術第02章半導體二極管及基本電路37頁(編輯修改稿)
2025-07-01 19:58 本頁面
【文章內容簡介】 當 0＜ V＜ Vth時，正向電流為零， Vth稱死區(qū)電壓或開啟電壓。 正向區(qū)分為兩段： 當 V ＞ Vth時，開始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長。 反向區(qū)也分兩個區(qū)域： 當 VBR＜ V＜ 0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱 反向飽和電流 IS 。 當 V≥VBR時，反向電流急劇增加， VBR稱為 反向擊穿電壓 。 (2) 反向特性 硅二極管 的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小； 鍺二極管 的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。 若 |VBR|≥7V時 , 主要是雪崩擊穿；若|VBR|≤4V時 , 則主要是齊納擊穿。 (3) 反向擊穿特性 半導體二極管的參數(shù) (1) 最大整流電流 IF (2) 反向擊穿電壓 VBR (3) 反向電流 IR (4) 正向壓降 VF 在室溫，規(guī)定的反向電壓下，最大反向工作電壓下的反向電流值。硅二極管的反向電流一般在納安 (nA)級；鍺二極管在微安 (?A)級。 在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降。硅二極管約～ ；鍺二極管約 ～ 。 二極管連續(xù)工作時，允許流過的最大整流電流的平均值。 二極管反向電流急劇增加時對應的反向電壓值稱為反向擊穿電壓 VBR。為安全計，在實際工作時，最大反向工作電壓 VRM一般只按反向擊穿電壓 VBR的一半計算。 二極管基本電路分析 二極管基本電路分析 二極管模型 正向偏置時： 管壓降為 0，電阻也為 0。 反向偏置時： 電流為 0，電阻為 ∞。 當 iD≥1 mA時， vD=。 1. 理想模型 2. 恒壓降模型 3. 折線模型 （實際模型） 4. 小信號模型 ?????? 20xx mA VVi VVrDthDD)()(26mAImVivrDQDDD ????DDthD riVV ??二極管電路分析 例 1： 求 VDD=10V時，二極管的 電流 ID、電壓 VD 值 。 解： 1. 理想模型 正向偏置時： 管壓降為 0，電阻也為 0。 反向偏置時： 電流為 0，電阻為 ∞。 2. 恒壓降模型 mAK VVR VVI DDDD ??????3. 實際模型 ?????? 20xx mA VVi VVrDthDDmAKK VVrR VVIDthDDD ?????????VKmAVrIVV DDD ??????VV D 0?mAKVRVI DDD 110 10 ????當 iD≥1 mA時， vD=。 VV D ? VR Vm vi t 0 Vi VR時，
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