ch3二極管及其基本電路(編輯修改稿)
2025-02-08 07:46 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 + + + + + － － － PN結(jié)加正向電壓時，呈現(xiàn) 低電阻 ，具有較大的正向擴散電流；簡稱正偏。 PN結(jié)加反向電壓時，呈現(xiàn) 高電阻 ，具有很小的反向漂移電流； 簡稱反偏。 由此可以得出結(jié)論： PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴? PN結(jié)的反向擊穿 當 PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為 PN結(jié)的 反向擊穿。 熱擊穿 ——不可逆 雪崩擊穿 齊納擊穿 電擊穿 ——可逆 PN結(jié)的電容效應 (1) 擴散電容 CD (2) 勢壘電容 CB 二極管 二極管的結(jié)構(gòu) 二極管的伏安特性 二極管的主要參數(shù) 半導體二極管的結(jié)構(gòu) 在 PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有 點接觸型、面接觸型 兩大類。 (1) 點接觸型二極管 (a)點接觸型 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖 PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。 （ a）面接觸型 （ b）集成電路中的平面型 (2) 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。 (b)面接觸型 電路 符號 二極管的伏安特性 )1e( /SD D ?? TVIi v硅二極管的 VI 特性 VT與溫度有關的常數(shù)。 Is 反向飽和電流 vD 0 時， 1e /|D ??TVv|TVIi /SD De v?正偏時成指數(shù)函數(shù) vD 0 時， SD Ii ??反偏時為飽和電流 1e /D ??TVv在常溫下（ T=300K） ?? qkTV TmV 26?硅管 鍺管 電壓 U(BR) 導通壓降 外加電壓大于死區(qū)電壓（門坎）二極管才能導通。 外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴? 2. VI特性曲線 硅 ~鍺 ~ U I 死區(qū)電壓 P N + – P N – + 反向電流 在一定電壓 范圍內(nèi)保持 常數(shù)。 二極管的主要參數(shù) (1) 最大整流電流 IF (2) 反向擊穿電壓 VBR和最大反向工作電壓 VRM (3) 反向電流 IR (4) 正向壓降 VF 二極管應用問題 ? 種類、型號選擇－－查器件手冊。 表 ? 正負極判斷（ P72 ） 二極管基本電路及其分析方法 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管電路的簡化模型分析方法 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管是一種非線性器件，因而其電路一般要采用非線性電路的分析方法，相對來說比較復雜，而圖解分析法則較簡單，但前提條件是已知二極管的 V I 特性曲線。 例 電路如圖所示，已知二極管的 VI特性曲線、電源 VDD和電阻 R，求二極管兩端電壓 vD和流過二極管的電流 iD 。 解：由電路的 KVL方程，可得 RVi DDDDv??DDDD11 VRRi ??? v即 是一條斜率為 1/R的直線，稱為負載線 Q的坐標值（ VD， ID）即為所求。 Q點稱為電路的工作點 二極管電路的簡化模型分析方法 VI 特性的建模 （ 1）理想模型 理想二極管 V I 特性 代表符號 正向偏置時的 電路模型 :短路 反向偏置時的 電路模型：開
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1