ch1基本概念pn結(jié)二極管(編輯修改稿)
2025-06-16 16:43 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 層。 (119) 漂移運動 P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴散運動 內(nèi)電場 E 當(dāng)擴散和漂移這一對相反的運動最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個區(qū)之間沒有電荷運動，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 (120) PN結(jié)的形成 (動畫） (121) PN 結(jié) 加上正向電壓 、 正向偏置 的意思都是 ： P 區(qū)加正、 N 區(qū)加負(fù)電壓。 PN 結(jié) 加上反向電壓 、 反向偏置 的意思都是： P區(qū)加負(fù)、 N 區(qū)加正電壓。 二 . PN結(jié)的單向?qū)щ娦? P N結(jié)導(dǎo)通時的結(jié)壓降 ，因而會在它所在的回路中串聯(lián)一個電阻 ，以限制回路的電流，防止 P N結(jié)因正向電流過大而損壞。 (122) － － － － + + + + R E 結(jié)正向偏置 內(nèi)電場 外電場 變薄 P N + _ 內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的 擴散電流 。 (123) 結(jié)反向偏置 － － － － + + + + 內(nèi)電場 外電場 變厚 N P + _ 內(nèi)電場被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。 R E (124) 三 、 PN結(jié)的電流方程 （ 結(jié)電壓 u與電流 i關(guān)系 ） )()( 11 ???? ee UuukTqIIi TSSqkTU ?TmVUkTct o 2630027 ??? T，即常溫q為電子的電量； k為玻爾茲曼常數(shù)； T為熱力學(xué)溫度； IS 為反向飽和電流 。 溫度的電壓當(dāng)量 (125) 四 . PN結(jié)的伏安特性 由 PN結(jié) 的電流方程可知 反向擊穿 齊納擊穿 (高摻雜 )：耗盡層窄，反向擊穿電壓較小 雪崩擊穿 (低摻雜 )：耗盡層寬，反向擊穿電壓較大 0 ?D/ V0 .2 0 . 4 0 . 6 0 .8? 10? 20? 3 0? 4 05101 520? 10? 20? 3 0? 40iD/? AiD/ mA死區(qū)VthVBR正向特性 反向擊穿電壓 反向特性 TS UueIi /?正向死區(qū)電壓 Vth指結(jié)正向電流由幾乎為零轉(zhuǎn)而開始明顯增大那一點的結(jié)電壓 ，此時正向電流仍不大 ， 還不能滿足電路應(yīng)用 。 S Ii ?反向TUu ??TUu ??(126) 五 .PN結(jié)的電容效應(yīng) (1) 勢壘電容 Cb (barrier capacity) 是由 PN 結(jié)的空間電荷區(qū)變化 形成的。 (a) PN 結(jié)加正向電壓 （ b) PN 結(jié)加反向電壓 ? N 空間 電荷區(qū) P V R I + U N 空間 電荷區(qū) P R I +
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1