ch1基本概念pn結(jié)二極管-文庫(kù)吧資料
2025-05-19 16:43本頁(yè)面
【正文】 PN結(jié)上的電壓發(fā)生變化時(shí)， PN 結(jié)中儲(chǔ)存的電荷量將隨之發(fā)生變化，使 PN結(jié)具有電容效應(yīng)。 溫度的電壓當(dāng)量 (125) 四 . PN結(jié)的伏安特性 由 PN結(jié) 的電流方程可知 反向擊穿 齊納擊穿 (高摻雜 )：耗盡層窄，反向擊穿電壓較小 雪崩擊穿 (低摻雜 )：耗盡層寬，反向擊穿電壓較大 0 ?D/ V0 .2 0 . 4 0 . 6 0 .8? 10? 20? 3 0? 4 05101 520? 10? 20? 3 0? 40iD/? AiD/ mA死區(qū)VthVBR正向特性 反向擊穿電壓 反向特性 TS UueIi /?正向死區(qū)電壓 Vth指結(jié)正向電流由幾乎為零轉(zhuǎn)而開(kāi)始明顯增大那一點(diǎn)的結(jié)電壓 ，此時(shí)正向電流仍不大 ， 還不能滿(mǎn)足電路應(yīng)用 。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。 (122) － － － － + + + + R E 結(jié)正向偏置 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) 變薄 P N + _ 內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成較大的 擴(kuò)散電流 。 PN 結(jié) 加上反向電壓 、 反向偏置 的意思都是： P區(qū)加負(fù)、 N 區(qū)加正電壓。 (119) 漂移運(yùn)動(dòng) P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng) E 當(dāng)擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒(méi)有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 內(nèi)電場(chǎng) (其方向即正電荷的受力方向 )會(huì)阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ， 同時(shí)內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)則使漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng) ， 而漂移會(huì)使空間電荷區(qū)變薄 。 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半導(dǎo)體 (117) PN結(jié) —— 二極管器件的基石 一 . PN 結(jié)的形成 在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體，經(jīng)過(guò)載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了 PN 結(jié)。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子 。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子 。 這個(gè)空穴可能吸引束縛電子來(lái)填補(bǔ)，使得硼原子成為不能移動(dòng)的帶負(fù)電的離子。自由電子稱(chēng)為 多數(shù)載流子（ 多子 ），空穴稱(chēng)為 少數(shù)載流子 （ 少子 ）。 。每個(gè)磷原子給出一個(gè)電子，稱(chēng)為施主原子。 N （ Negative，負(fù)） 型半導(dǎo)體： 自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體 ， 也稱(chēng) 電子半導(dǎo)體 。 其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加 。 四 .本征半導(dǎo)體中載流子的濃度 本征激發(fā) 復(fù)合 動(dòng)
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