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正文內(nèi)容

變?nèi)荻O管調(diào)頻實驗-文庫吧資料

2025-05-21 18:37本頁面
  

【正文】 求卓越 部分接入式振蕩回路如所示, Cj為回路電容的一部分,總電容 C為 : 2) 部分接入式變?nèi)荻O管直接調(diào)頻 L Cj C1 C2 ? ? Ctco smCCCCCCCCCC???????? ?1221j2j21振蕩頻率為 : ) 2 cos cos 1 ( 2 cos cos LC 1 ) ( 2 2 1 2 L L ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? t m A t m A t t t c m m c c ? ? ? ? ? ? ???????????cCCCCCL2211?三、實驗應(yīng)知知識 厚德博學(xué) 追求卓越 實驗應(yīng)知知識介紹完畢 實 驗 開 始 謝謝 ! 厚德博學(xué) 追求卓越 a、注意安全操作規(guī)程,確保人身安全 注意人身安全和儀器設(shè)備的安全 ?為了防止器件損壞,在切斷實驗電路板上的電源后才能改接電路。 γ=1/2 為實變結(jié) γ=1/3 為緩變結(jié) γ > 1為超實變結(jié) 厚德博學(xué) 追求卓越 三、實驗應(yīng)知知識 6. 變?nèi)荻O管直接調(diào)頻的原理電路 為了突出調(diào)頻性能的分析 , 下圖只畫出了它的高頻交流等效電路 , 沒有畫出直流饋電電路 。 結(jié)電容 Cj與反偏電壓 uD 的關(guān)系: rDRuuCoCj)1( ??式中 : Co: uR=0 時的電容(零偏置電容) uR: 外加 反向偏置電壓 uD :PN結(jié)勢壘電位差 (硅管約為 )。 所以 為利用 PN結(jié)的勢壘電容 , 變?nèi)荻O管應(yīng)工作在反向偏置狀態(tài) . 當(dāng) PN結(jié)反向偏置時,結(jié)電容會隨外加反向偏壓而變化,而專用的變?nèi)荻O管,是經(jīng)過特殊工藝處理(控制半導(dǎo)體的摻雜濃度和摻雜的分布)使勢壘電容能靈敏地隨反向偏置電壓的變化而呈現(xiàn)較大變化的壓控變?nèi)菰? fm ms fB ?? 2cf 由于 FM信號的能量主要集中在 附近,因此,忽略掉其它一些振幅很小的邊頻分量,在工程上定義 FM信號帶寬為: fm FBs 2? 若 << 1,則 ,為窄帶調(diào)頻; 厚德博學(xué) 追求卓越 三、實驗應(yīng)知知識 二極管的 PN結(jié) 具有電容效應(yīng) 擴散電容, 正向偏置 ,電容效應(yīng)比較小。
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