晶體二極管ppt課件-文庫吧資料
2025-05-06 18:43本頁面
【正文】 PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。按結(jié)構(gòu)分有點接觸型、面接觸型和平面型三大類。② 熱擊穿 熱擊穿則為破壞性擊穿，這時 PN結(jié)的耗散功率已超過允許值。(UBR6v)齊納擊穿 通常發(fā)生在摻雜濃度較高的 PN結(jié)中。 l反向擊穿的特點：反向電壓增加很小，反向電流卻急劇增加。 l溫度升高 時 ，少子 值 迅速增大，所以 PN結(jié) 的反向 電 流受溫度影響很大。 l反向 電 流很小，它由少數(shù) 載 流子形成，與少子 濃 度成正比。 ② PN結(jié)外加反向電壓 電源的正極接 N區(qū)，負極接 P區(qū)，這種接法叫做 PN結(jié)加反向電壓或反向偏置。 l不大的正向電壓，產(chǎn)生相當大的正向電流。 擴散 =漂移 ⑴ PN結(jié)的單向?qū)щ娦? ① PN結(jié)外加正向電壓 如圖所示，電源的正極接 P區(qū)，負極接 N區(qū)，這種接法叫做 PN結(jié)加正向電壓或正向偏置。 空間電荷區(qū)也稱作 “ 耗盡區(qū) ” “ 勢壘區(qū) ” 自建電場阻止擴散，加強漂移。 l濃度差引起載流子的擴散。 PN結(jié) 是構(gòu)成多種半 導 體器件的基 礎(chǔ) 。擴散 運動 由于濃度差而引起的定向運動稱為擴散運動，載流子擴散運動所形成的電流稱為擴散電流。漂移運動產(chǎn)生的電流稱為漂移電流。在 P型半導體中， 空穴數(shù)等于負離子數(shù)與自由電子數(shù)之和 ，空穴帶正電，負離子和自由電子帶負電，整塊半導體中正負電荷量相等，保持電中性。空位吸引鄰近原子的價電子填充，從而留下一個空穴。② P型半導體 (Positive Type Semiconductor ) 在本征半 導 體中加入微量的三價元素，可使半 導 體中的空穴 濃 度大 為 增加，形成 P型半 導體。+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共價鍵 摻入五價原子摻入五價原子占據(jù) Si原子位置 216。如圖所示。① N型半導體 (Negative Type Semiconductor )l在本征半 導 體中加入微量的五價元素，可使半 導 體中自由 電 子 濃 度大 為 增加，形成 N型半 導 體。常用的雜質(zhì)元素 三價的硼、鋁、銦、鎵 五價的砷、磷、銻 通過控制摻入的雜質(zhì)元素的種類和數(shù)量來制成各種各樣的半導體器件。 l摻入的微量元素 ——“ 雜質(zhì) ” 。 ⑵ 雜質(zhì)半導體l本征半導體的電導率很小，而且受溫度和光照等條件影響甚大，不能直接用來制造半導體器件。BA空穴自由電子晶體共價鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖+4 +4 +4+4+4+4 +4+4 +4C共價鍵 由于空穴帶正電荷，且可以在原子間移動，因此，空穴是一種載流子 (carrier)。
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