模擬電子技術(shù)項(xiàng)目1晶體二極管、三極管的認(rèn)識(shí)與檢測(cè)-文庫吧資料
2025-02-27 10:15本頁面
【正文】 20 (μ A) － 12 － 8 － 4 U(V) 穩(wěn)壓二極管的反向電壓幾乎不隨反向電流的變化而變化、 這就是穩(wěn)壓二極管的顯著特性。 模擬電子技術(shù) 項(xiàng)目 1 晶體二極管、三極管的認(rèn)識(shí)與檢測(cè) 二極管的好壞判定 用萬用表的 R 100擋或 R 1k擋測(cè)量二極管的正、反向電阻。若正向電壓大于其導(dǎo)通電壓，則二極管接入后必將導(dǎo)通；反之，二極管接入后必將處于截止?fàn)顟B(tài)。 模擬電子技術(shù) 項(xiàng)目 1 晶體二極管、三極管的認(rèn)識(shí)與檢測(cè) 死區(qū)電壓 反向飽和電流 反向擊穿電壓 模擬電子技術(shù) 項(xiàng)目 1 晶體二極管、三極管的認(rèn)識(shí)與檢測(cè) 練習(xí)： 判斷二極管在電路是否導(dǎo)通 例 11 判定電路中硅二極管的工作狀態(tài)，計(jì)算 UAB值。 （ 3） 反向飽和電流 IS 它是指管子沒有擊穿時(shí)的反向電流值 。 模擬電子技術(shù) 項(xiàng)目 1 晶體二極管、三極管的認(rèn)識(shí)與檢測(cè) （ 1） 最大整流電流 IF 最大整流電流 IF是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí) ， 允許通過二極管的最大正向電流的平均值 。 反向電流有 兩個(gè)特點(diǎn) ：一是它隨溫度的上升增長(zhǎng)很快，二是 在反向電壓不超過某一范圍時(shí)，反向電流的大小基本恒定，而 與反向電壓的高低無關(guān) (與少子的數(shù)量有限 )。 硅 二極管的正向?qū)妷杭s為 ，鍺 二極管的正向?qū)妷杭s為 。 反向 擊穿區(qū) 反向截止區(qū) 內(nèi)反向飽和電流很小，可近似視為零值。 這一區(qū)域稱之為 死區(qū) 。 二極管的伏安特性呈非線性，特性曲線上大致可分為四個(gè)區(qū)： 外加正向電壓超過死區(qū)電壓 (硅管 ，鍺管 )時(shí)，內(nèi)電場(chǎng) 大大削弱，正向電流迅速增長(zhǎng)，二極管進(jìn)入 正向?qū)▍^(qū) 。 I＝ f（ U） （ 1） 正向特性 圖 測(cè)正向特性 二極管的伏安特性及主要參數(shù) 模擬電子技術(shù) 項(xiàng)目 1 晶體二極管、三極管的認(rèn)識(shí)與檢測(cè) （ 2） 反向特性 （ 3） 反向擊穿特性 測(cè)反向特性 模擬電子技術(shù)
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