晶體二極管已修改ppt課件-文庫吧資料
2025-05-18 12:11本頁面
【正文】 7。理想二極管：若 V0， 則管子導(dǎo)通；反之截止。（ 1）估算法v 判斷二極管是導(dǎo)通還是截止？167。 簡(jiǎn)化分析法 即將電路中二極管用簡(jiǎn)化電路模型代替，利用所得到的簡(jiǎn)化電路進(jìn)行分析、求解。VQIQ令 I =0，得 V= VDD； 令 V =0，得 I = VDD / R；?所得交點(diǎn)，即為 Q點(diǎn)。 例 1： 已知電路參數(shù)和二極管伏安特性曲線，試求電路的靜態(tài)工作點(diǎn)電壓和電流。優(yōu)點(diǎn)： 直觀。167。分析步驟：167。 晶體二極管電路分析方法利用二極管曲線模型和管外電路所確定的負(fù)載線，通過作圖的方法進(jìn)行求解。 （重點(diǎn)掌握簡(jiǎn)化分析法）167。IVQrsrj Cj216。 注意： 高頻電路中，需考慮 Cj影響。 （室溫） ： PN結(jié)串聯(lián)電阻，數(shù)值很小。 216。 開關(guān)狀態(tài)： 與外電路相比， RD可忽略時(shí)的伏安特性。簡(jiǎn)化電路模型折線等效： 在主要利用二極管單向?qū)щ娦缘碾娐分校? 實(shí)際二極管的伏安特性。曲線模型 — 伏安特性曲線V(BR)I (mA)V(V)VD(on)IS當(dāng) V VD(on)時(shí) 二極管 導(dǎo)通當(dāng) V VD(on)時(shí) 二極管 截止當(dāng) 反向電壓 V ? V (BR)時(shí) 二極管 擊穿晶體二極管的伏安特性曲線，通常由實(shí)測(cè)得到。數(shù)學(xué)模型 — 伏安特性方程式理想模型：修正模型：rS — 體電阻 + 引線接觸電阻 + 引線電阻其中： n — 非理想化因子 I 正常時(shí) : n ?1I 過小或過大時(shí) : n?2注意： 考慮到阻擋層內(nèi)產(chǎn)生的自由電子空穴對(duì)及表面漏電流的影響，實(shí)際 IS??理想 IS。 便于計(jì)算機(jī)輔助分析的 數(shù)學(xué)模型直流簡(jiǎn)化電路模型交流小信號(hào)電路模型167。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示為不同形式的模型：167。通常： CT ≈幾 PF ~ 幾十 PF。 故： PN結(jié) 反偏時(shí)，以 CT為主。 PN結(jié)反偏時(shí) ， CT CD ， 則 Cj ≈ CT PN結(jié)總電容： Cj = CT + CD167。 CT(0)CTV0xn少子濃度x0xpP+ N216。 PN結(jié)的結(jié)的 電容特性電容特性勢(shì)壘區(qū)內(nèi)空間電荷量隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng)。 使用穩(wěn)壓管組成電路時(shí)需注意的幾個(gè)問題：使用穩(wěn)壓管組成電路時(shí)需注意的幾個(gè)問題：某原因 VO? ? IZ?? ? I ?限流電阻 R： 保證穩(wěn)壓管工作在 Izmin~ Izmax之間穩(wěn)壓原理： VO? ? VR?VO= VZ輸出 電壓：D++RRLILVI VOIZI應(yīng)該給穩(wěn)壓管加反偏電壓，以保證工作于反向擊穿區(qū)穩(wěn)壓管應(yīng)與負(fù)載電阻并聯(lián)以使輸出電壓穩(wěn)定。其值越小越好。說來工作電流較大時(shí)穩(wěn)壓性能較好。 要求 ： Izmin Iz Izmax穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù) 穩(wěn)定電壓、穩(wěn)定電壓 UZ :在在 反向擊反向擊穿區(qū)時(shí)的穩(wěn)定工作電壓，穿區(qū)時(shí)的穩(wěn)定工作電壓， UZ是根是根據(jù)要求挑選穩(wěn)壓管的主要依據(jù)之一據(jù)要求挑選穩(wěn)壓管的主要依據(jù)之一。 利用 PN結(jié) 的 反向擊穿特性 ，可 制成穩(wěn)壓二極管。 要求： Izmin Iz Izmax216。 利用 PN結(jié)的反向擊穿特性，可 制成穩(wěn)壓二極管。216。 齊納擊穿電壓 具有負(fù)溫度系數(shù)。 雪崩擊穿電壓 具有正溫度系數(shù)。216。V(BR)ID(mA)V(V)形成原因 : 場(chǎng)致激發(fā)。 |V反 |?=V(BR)時(shí)， ? IR急劇 ??? ，? PN結(jié)反向擊穿。溫度每升高 10℃ ， IS約增加一倍。正偏時(shí)： 反偏時(shí)： 216。216。 PN結(jié) —— 單向?qū)щ娞匦訮+ N內(nèi)建 電場(chǎng) Elo +VPN結(jié) 反偏阻擋層變寬內(nèi)建電場(chǎng)增強(qiáng)少子漂移 多子擴(kuò)散少子 漂移 形成 微小 的反向電流 IR PN結(jié)截止IRIR與 V 近似無關(guān)。 PN結(jié)的特性：PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕凑驅(qū)ǎ聪蚪刂梗┙Y(jié)的單向?qū)щ娦裕凑驅(qū)?，反向截止?PN結(jié)的結(jié)的 伏安特性伏安特性216。 反偏反偏 ： 是反向偏置的簡(jiǎn)稱，反向偏置是指給 PN結(jié)的 P端 接電源的 “ ” 極 ， N端 接電源的“ +” 極 的一種接法。 正偏正偏 ： 是正向偏置的簡(jiǎn)稱，正向偏置是指給 PN結(jié)的 P端 接電源的 “ +” 極 ， N端接 電源的 “ ” 極 的一種接法。 內(nèi) 建 電位差：216。 注意： 摻雜濃度（ Na、 Nd） 越大，內(nèi)建電位差 VB 越高，阻擋層寬度 l0 越小。多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ? 由 雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) ? PN結(jié)的形成多子 ：空穴多子 ：自 由電子內(nèi)
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1