晶體二極管已修改ppt課件-展示頁
2025-05-21 12:11本頁面
【正文】 電場方向少子 ：自由電子 少子 ：空穴內(nèi) 電場方向 PN結的形成空間電荷區(qū)（耗盡層） 對于 P型半導體和 N型半導體結合面，離子薄層形成的 空間電荷區(qū) 稱為 PN結 。 擴散與擴散電流N 型 硅光照n(x)p(x)載流子濃度xnopo PN結結多 子：多 子：空穴少子：自由電子少子： 在一塊本征半導體在兩側通過擴散不同的雜質(zhì) ,分別形成 N型半導體和 P型半導體。 半導體的電導率電阻：電壓： V = E l電流： I = S Jt+ V長度 l截面積 S電場 EI 載流子在濃度差作用下的運動稱 擴散運動，所形成的電流稱 擴散電流。漂移電流密度總漂移電流密度：遷移率178。多子濃度取決于摻雜濃度?？昭ǎs質(zhì)電離 （多數(shù)） 和本征激發(fā)產(chǎn)生）（本征激發(fā)產(chǎn)生）216。（雜質(zhì)電離 （多數(shù)） 和本征激發(fā)產(chǎn)生）（ 本征激發(fā)產(chǎn)生） 雜質(zhì)半導體： 常溫情況下， 雜質(zhì) 元素全部 電離 為 空穴 和 負離子 ，負離子在晶格中不能移動，不參與導電。T 導電能力ni或光照 熱敏 特性光敏特性vN型半導體： 本征半導體中摻入少量 五價 元素構成。v 熱平衡載流子濃度熱平衡載流子濃度熱平衡載流子濃度：本征 半導體中本征激發(fā) —— 產(chǎn)生 自由電子空穴對。自由電子 — 帶負電半導體中有兩種導電的載流子216。 當鄰近原子中的價電子不斷填補這些空位時形成一種運動，該運動可等效地看作是 空穴的運動 。當原子中的 價電子 在 光照或溫度升高 時 獲得能量 掙脫共價鍵的束縛而 成為自由電子 ，原子中 留下空位（即空穴） ，（即 產(chǎn)生自由電子－空穴對 ）同時原子因失去價電子而帶正電。 本征激發(fā)本征 激發(fā) 。 當 T=0K（ 無外界影 響）時，共價鍵中無自由移動的電子。+4+4+4+4+4+4+4+4 硅和鍺共價鍵結構示意圖：共價鍵 本征半導體本征半導體q當 T升高或光線照射時 產(chǎn)生 自由電子空穴對。 半導體物理基礎知識半導體物理基礎知識硅 ( Si ) 、 鍺 ( Ge ) 原子結構及簡化模型：+14 2 8 4 +32 2 8 418 +4價電子慣性核 硅和鍺的單晶稱為 本征半導體 。 ? 半導體為什么會具有上述特性呢？要回答這個問題 , 必須研究半導體的內(nèi)部結構。1. 1 半導體物理基礎知識 ：半導體 的 3大特性： (2) 光敏性 : 有些半導體的電阻率隨著光照的增強而明顯地下降 , 利用這種特性可以做成各種光敏元件 , 如光敏電阻和光電管等。cm的稱為絕緣體 。cm的稱為導體 。 ? ? 嚴格地說，導體、半導體和絕緣體的劃分是以物質(zhì)的電阻率 ρ的大小來確定的。 把導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導體 ,大多數(shù)半導體器件所用的主要材料是硅 (Si)和鍺 (Ge) 。 通常人們把容易導電的物質(zhì)稱為導體 , 如金、銀、銅等 。用于整流、開關、檢波電路中。截止。 半導體物理基礎知識半導體物理基礎知識 晶體二極管電路分析方法晶體二極管電路分析方法 PN結結 晶體二極管的應用晶體二極管的應用 概述概述第一章第一章 晶體二極管晶體二極管概概 述述晶體二極管結構及電路符號：晶體二極管結構及電路符號：PN結正偏（結正偏（ P接接 +、 N接接 ）） ， D導通導通。2022王成華 高等教育出版社 1999編著 高教出版社， 2022（清華） 《 電子技術基礎 》 （模擬部分） 《 模擬電子技術基礎 》 （第 3版）20222022（東南大學）參考書： 《 模擬電子技術基礎簡明教程 》 （第三版）楊素行 主編 （第五版） 《 電子電路基礎 》(Basis of Electronic Circuits) 重慶郵電大學通信學院電路基礎教研中心 教 副教授辦公室：信科大樓 S226Tel:主講教師： 唐伶俐 13983022173Email:材：《 電子線路 》 (線性部分 )馮軍 謝嘉奎 高等教育出版社 主編高等教育出版社 （清華大學） 童詩白，華成英主編 康華光 （華中理工） 《 電子線路基礎教程 》 主編 科學出版社 P N正極 負極晶體二極管的主要特性：晶體二極管的主要特性： 單方向?qū)щ娞匦詥畏较驅(qū)щ娞匦訮N結反偏（結反偏（ N接接 +、 P接接 ）） ， D截止。即主要用途：主要用途： 用于整流、開關、檢波電路中。1. 1 半導體物理基礎知識 物質(zhì)按其導電能力可
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