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晶體二極管工作原理及應(yīng)用電氣-展示頁

2024-12-04 22:02本頁面
  

【正文】 ,相鄰硅原子中的價(jià)電子容易移過來填補(bǔ)個(gè)空位 。 B、磷原子失去一個(gè)電子自身成不能移動(dòng)的帶正電荷的離子,稱為施主雜質(zhì)。 ? 雜質(zhì)半導(dǎo)體可可分為: N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體 摻雜要求: 本征載流子濃度; 材料的原子密度。 結(jié)論:本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力很 弱! ? 為了提高半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力,并且人為控制半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性,可以采用 摻雜技術(shù) 。 19 雜質(zhì)半導(dǎo)體 ? 在室溫 270C時(shí), Si的本征載流子濃度為 1010cm3,原子密度為 1022cm3。 ? 溫度升高時(shí)半導(dǎo)體材料中的載流子濃度就增大,導(dǎo)電能力增強(qiáng)。 ? 自由電子在晶格中運(yùn)動(dòng);空穴在共價(jià)鍵內(nèi)運(yùn)動(dòng)。 Ge的導(dǎo)電能力比 Si強(qiáng)。 Si: Ge: 玻耳茲曼常數(shù), k=17 例 計(jì)算在室溫 270C( 300K)時(shí)硅和鍺的本征載流子濃度。 (3) 本征載流子濃度:本征半導(dǎo)體單位體積內(nèi)的載流子數(shù)量。 15 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共價(jià)鍵 本征激發(fā)和兩種載流子 空穴 自由電子 空穴 A、 本征激發(fā) — 電子、空穴對(duì)的產(chǎn)生 B、 價(jià)電子填充空穴的運(yùn)動(dòng) C、 空穴是可以移動(dòng)的,其實(shí)是共價(jià)鍵的電子依次填補(bǔ)空穴,形成空穴的移動(dòng) 16 復(fù)合 (1)復(fù)合 :自由電子跳進(jìn)空穴,并釋放出能量的現(xiàn)象。 硅 (鍺 )的晶體結(jié)構(gòu) 14 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共價(jià)鍵 本征半導(dǎo)體 A.硅原子電子數(shù)為 14,最外層電子為四個(gè),是四價(jià)元素 B、硅原子結(jié)合方式是共價(jià)鍵結(jié)合: (i)每個(gè)價(jià)電子都要受到相鄰兩個(gè)原子核的束縛 。 12 +4 +14 2 8 4 +32 2 8 18 4 硅 (鍺 )的原子結(jié)構(gòu) 硅 鍺 硅 (鍺 )的原子結(jié)構(gòu) 簡(jiǎn)化模型 Si Ge 13 本征半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體: 純凈的半導(dǎo)體 單晶 。 11 半導(dǎo)體材料制作電子器件的原因 ? 熱敏性 :是半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨著溫度的升高而迅速增加, 例如 純凈鍺從 20℃ 升高 到 30℃ 時(shí),電阻率 下降為原來的 1/2; 光敏性 :半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨光照的變化有顯著改變的特性;例如硫化鎘薄膜在暗處:電阻為幾十 MΩ 。 3 模 擬 電 子 技 術(shù) 基 礎(chǔ) 電子器件及基本應(yīng)用 第一章 晶體二極管 工作原理及應(yīng)用 第二章 晶體三極管 及基本放大器 第三章 場(chǎng)效應(yīng)管 及其應(yīng)用 基本功能電路 第四章 負(fù)反饋 放大器 第五章 振蕩電路 第六章 電流源 電路 第七章 差分放大 電路 第八章 功率放大 電路 模擬集成電路 第九章 運(yùn)算放大器 第十章 集成穩(wěn)壓電路 第十一章 在系統(tǒng)可編程模擬器件 教材知識(shí)體系 4 本課程是屬于技術(shù)基礎(chǔ)性質(zhì)的課程,它與 《 大學(xué)物理 》 、 《 電路 》 等基礎(chǔ)理論課程相比,更接近工程實(shí)際。1 電子技術(shù)基礎(chǔ) —模擬電子技術(shù) 南京理工大學(xué)泰州科技學(xué)院 孫正鳳 2 課程的性質(zhì)與任務(wù) 性質(zhì) 普通高等院校電類專業(yè)的一門學(xué)科基礎(chǔ)課,為后繼專業(yè)課程學(xué)習(xí)以及電子技術(shù)在專業(yè)中的應(yīng)用打下基礎(chǔ)。 任務(wù) 使學(xué)生掌握模擬電子技術(shù)方面的 基本理論 (電子電路的基本分析方法)、 基本知識(shí) (常用電子器件和電子電路的性能以及主要應(yīng)用)和 基本技能 (電子測(cè)試技術(shù)、電子電路的分析計(jì)算能力和識(shí)圖能力)。 課程的特點(diǎn)和學(xué)習(xí)方法 5 課程安排 : 共計(jì) 3學(xué)分,其中:理論課占 實(shí)驗(yàn)課占 考核方法 : 閉卷考試 總評(píng)成績(jī) =平時(shí)成績(jī) 20%+實(shí)驗(yàn)成績(jī) 10%+考試成績(jī) 70% 課程安排和考核方法 6 第一章 晶體二極管工作原理及應(yīng)用 ? 引言 ? 半導(dǎo)體物理知識(shí) ? ? 實(shí)際二極管的伏安特性 ? 、參數(shù)、分析方法及基本應(yīng)用 ? 其它類型的二極管 7 引言 P N 正極 負(fù)極 PN結(jié) 外殼 正極 負(fù)極 ( a) 二極管結(jié)構(gòu)示意圖 ( b) 二極管的電路符號(hào) 8 半導(dǎo)體物理知識(shí) ?
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