【正文】 空穴）濃度： dn Nn ?0200 iii npnpn ??dino Nnp 2?21 A、在四價(jià)的本征硅中摻入微量的 3價(jià)硼 B、硼原子在共價(jià)鍵留下一個(gè)空位，相鄰硅原子中的價(jià)電子容易移過(guò)來(lái)填補(bǔ)個(gè)空位 。 Si： Ge： 玻耳茲曼常數(shù)， k=17 例 計(jì)算在室溫 270C（ 300K）時(shí)硅和鍺的本征載流子濃度。 任務(wù) 使學(xué)生掌握模擬電子技術(shù)方面的 基本理論 （電子電路的基本分析方法）、 基本知識(shí) （常用電子器件和電子電路的性能以及主要應(yīng)用）和 基本技能 （電子測(cè)試技術(shù)、電子電路的分析計(jì)算能力和識(shí)圖能力）。 3133300)(223162233 0 5????????????????cmcmeeATpn kTEiigo3103300)(223162233 0 5????????????????cmcmeeATpn kTEiigo18 本征激發(fā)小結(jié) ? 本征半導(dǎo)體中的電子和空穴是成對(duì)產(chǎn)生的，因此本征半導(dǎo)體還是電中性的。 ? 本征半導(dǎo)體中摻入 5價(jià)元素（施主雜質(zhì)）就形成 N形半導(dǎo)體， N型半導(dǎo)體的多子是電子，少子是空穴；當(dāng)本征半導(dǎo)體中摻入 3價(jià)元素（受主雜質(zhì)）就形成 P型半導(dǎo)體， P型半導(dǎo)體的多子是空穴，少子是電子。如圖中 A段所示 C、當(dāng)正向電流變化很大時(shí)，PN結(jié)兩端電壓幾乎不變，硅PN結(jié) 約 ~，鍺 PN結(jié) 約~，分別作為正向工作時(shí)兩端直流壓降的估算值 。 ? PN電容 Cj=CB+CD，當(dāng) PN結(jié)加正向電壓時(shí)，以擴(kuò)散電容 CD為主，即 Cj≈C D；當(dāng) PN結(jié)加反向電壓時(shí)，以勢(shì)壘電容 CB為主，即 Cj=CB 。 （ b） 輸入與輸出波形 1DV 2DVv3v3?Ui≥3V: VD1導(dǎo)通 ,VD2截止U0=3V ≤3V:D2 D1 3V` 3V＜ Ui＜ 3V: D VD2都截止 =Ui 53 最大整流電流 IF 指二極管在一定溫度下， 長(zhǎng)期允許通過(guò)的最大正向平均電流 最大 反向峰值電壓 URM 管子反向擊穿時(shí)的電壓值稱為反向擊穿電壓 UBR。 ui t ?18V 參考點(diǎn) 二極管陰極電位為 8 V D 8V R uo ui + + – – 50 整流應(yīng)用 利用二極管單向?qū)щ娦园汛笮『头较蚨甲兓恼?弦交流電變?yōu)閱蜗蛎}動(dòng)的直流電。 ? PN結(jié)的伏安特性是非線性的，它的表達(dá)式為： PN結(jié)加正向電壓時(shí)， IF和 V 近似成指數(shù)關(guān)系 PN結(jié)加反向電壓時(shí)，反向電流和反向電壓無(wú)關(guān)。室溫下 VT=26mV 31 PN結(jié)的伏安特性 伏安特性 ： PN結(jié)的電流和加在它兩端的電壓的關(guān)系。摻入一個(gè)磷原子就提供一個(gè)自由電子。 電子空穴對(duì)成對(duì)消失 本征激發(fā)現(xiàn)象的逆過(guò)程 kTEiigoeATpn 223???本征半導(dǎo)體中 電子 的濃度 本征半導(dǎo)體中 空穴 的濃度 與半導(dǎo)體材料有關(guān)的常數(shù)， Si： Ge： 23316 Kcm103 . 8 8 ???23316 Kcm101 . 7 6 ???0K時(shí)半導(dǎo)體材料的帶隙能量。 3 模 擬 電 子 技 術(shù) 基 礎(chǔ) 電子器件及基本應(yīng)用 第一章 晶體二極管 工作原理及應(yīng)用 第二章 晶體三極管 及基本放大器 第三章 場(chǎng)效應(yīng)管 及其應(yīng)用 基本功能電路 第四章 負(fù)反饋 放大器 第五章 振蕩電路 第六章 電流源 電路 第七章 差分放大 電路 第八章 功率放大 電路 模擬集成電路 第九章 運(yùn)算放大器 第十章 集成穩(wěn)壓電路 第十一章 在系統(tǒng)可編程模擬器件 教材知識(shí)體系 4 本課程是屬于技術(shù)基礎(chǔ)性質(zhì)的課程，它與 《 大學(xué)物理 》 、 《 電路 》 等基礎(chǔ)理論課程相比，更接近工程實(shí)際。 ? 自由電子在晶格中運(yùn)動(dòng)；空穴在共價(jià)鍵內(nèi)運(yùn)動(dòng)。 23 雜質(zhì)半導(dǎo)體小結(jié) ? 在一定的溫度范圍內(nèi)，雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多子濃度近似等于摻雜濃度，幾乎和溫度無(wú)關(guān)；少子濃度是對(duì)應(yīng)溫度下的本征載流子濃度的平方除以摻雜濃度，并隨溫度的升高而增加。 B、反向特性 ——加反向偏壓 UR A、反向電流 IR是少子漂移運(yùn)動(dòng)引起，所以數(shù)量小，幾乎不變，又稱為反向飽和電流 IS。