ch3二極管及其基本電路-在線瀏覽
2025-03-01 07:46本頁面
【正文】 的擴散加強，形成較大的擴散電流。 內(nèi)電場 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – 2. PN 結(jié)加反向電壓 （反向偏置） 外電場 P接負、 N接正 內(nèi)電場 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － – + PN 結(jié)變寬 外電場 內(nèi)電場被加強，少子的漂移加強，由于少子數(shù)量很少，形成很小的反向電流。 – + PN 結(jié)加反向電壓時， PN結(jié)變寬，反向電流較小，反向電阻較大， PN結(jié)處于截止狀態(tài)。 PN結(jié)加反向電壓時，呈現(xiàn) 高電阻 ，具有很小的反向漂移電流； 簡稱反偏。 PN結(jié)的反向擊穿 當 PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為 PN結(jié)的 反向擊穿。二極管按結(jié)構(gòu)分有 點接觸型、面接觸型 兩大類。 （ a）面接觸型 （ b）集成電路中的平面型 (2) 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。 Is 反向飽和電流 vD 0 時， 1e /|D ??TVv|TVIi /SD De v?正偏時成指數(shù)函數(shù) vD 0 時， SD Ii ??反偏時為飽和電流 1e /D ??TVv在常溫下（ T=300K） ?? qkTV TmV 26?硅管 鍺管 電壓 U(BR) 導(dǎo)通壓降 外加電壓大于死區(qū)電壓（門坎）二極管才能導(dǎo)通。 2. VI特性曲線 硅 ~鍺 ~ U I 死區(qū)電壓 P N + – P N – + 反向電流 在一定電壓 范圍內(nèi)保持 常數(shù)。 表 ? 正負極判斷（ P72 ） 二極管基本電路及其分析方法 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管電路的簡化模型分析方法 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管是一種非線性器件，因而其電路一般要采用非線性電路的分析方法，相對來說比較復(fù)雜，而圖解分析法則較簡單，但前提條件是已知二極管的 V I 特性曲線。 解：由電路的 KVL方程，可得 RVi DDDDv??DDDD11 VRRi ??? v即 是一條斜率為 1/R的直線，稱為負載線 Q的坐標值（ VD， ID）即為所求。 2) 如果 VDOVth, 則 D導(dǎo)通，可用理想模型、恒壓模型或折線模型代替二極管； 3) 如果 VDOVth , D截止 , iD = 0 2．模型分析法應(yīng)用舉例 例 1 二極管整流電路 （ 1） vs和 vo的波形 整流 將交流信號變換為直流信號 半波整流 脈動直流 vs0,導(dǎo)通， vD=0 , vs0 , D截止 ， iD=0 （ 2）靜態(tài)工作情況分析 V 0D ?V mA 1/DDD ?? RVI理想模型 （ R=10k?） 當 V
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