半導(dǎo)體二極管及其基本電路(2)-在線瀏覽
2024-12-06 12:48本頁面
【正文】 電阻很小，電流大 。 PN結(jié)的形成小結(jié)： 濃度差 ? 多子擴(kuò)散 ?空間電荷區(qū) (雜質(zhì)離子 ) ? 內(nèi)電場(chǎng) ? 促使少子漂移 ? 阻止多子擴(kuò)散 當(dāng)多子 擴(kuò)散 和少子 漂移 達(dá)到 動(dòng)態(tài)平衡 ，形成 PN結(jié) 實(shí)質(zhì) PN結(jié) =空間電荷區(qū) =耗盡層 =內(nèi)電場(chǎng) =電阻 單向?qū)щ娦? 單向?qū)щ娦?： PN結(jié) 正偏 時(shí)導(dǎo)通（大電流）， PN結(jié) 反偏 時(shí)截止（小電流）。所以 PN結(jié)兩 側(cè)堆積的多子的濃度 梯度分布也不同，這 就相當(dāng)電容的充放電 過程。 半導(dǎo)體二極管 結(jié)構(gòu)類型和符號(hào) 伏安特性 主要參數(shù) 型號(hào)命名規(guī)則 結(jié)構(gòu)類型和符號(hào) 二極管 = PN結(jié) + 引線 + 管殼。 PN 結(jié)面積 可大可小 ， 用于高頻整流和開關(guān)電路中。不同的二極管有不同的反向擊穿電壓。 指正常功率下的正向平均電流；根據(jù)二極管功率不同，由幾 mA到幾百安培不等 (3) IR（ IS） —— 反向飽和電流 指二極管反向加電壓時(shí)，在沒有擊穿前的電流。一般幾納安到幾微安。而擴(kuò)散必須有載流子的濃度積累，這就產(chǎn)生了擴(kuò)散電容。 相當(dāng)于二塊平行板電容。DBDQ d QCCdUU???? 型號(hào)命名規(guī)則 國家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下： 部分國產(chǎn)半導(dǎo)體高頻二極管參數(shù)表 最高反向工作電壓 （峰值） V 反向擊穿電壓 V 正向電流 mA 反向電流 μA 最高工作頻率 MHZ 極間電容 Pf 最大整流電流 mA 2AP1 20 ≥40 ≥ ≤250 150 ≤1 16 2ck7 100 ≥150 ≥ ≤250 300 ≤ 20 部分國產(chǎn)半導(dǎo)體整流二極管參數(shù)表 最大整流 電流 A 最高反向工作電壓 （峰值） V 最高工作電壓下的反向電流（ 125度） μA 正向壓降 （平均值） V 最高工作頻率 MHZ 2CZ52A 25 1000 ≤ 3 2CZ54D 1400 1000 ≤ 3 2CZ57F 5 3000 1000 ≤ 3 二極管基本電路及其分析方法 二極管經(jīng)常應(yīng)用于以下場(chǎng)合 ： （ 1）整流。 （ 3）邏輯
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1