[工學(xué)]ch3半導(dǎo)體二極管及其基本電路-在線瀏覽
2025-04-04 17:44本頁面
【正文】 依次相差 106/cm3 。 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)： 由于載流子濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)稱為 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 。此時(shí)將在 N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過程 : 因濃度差 ? 空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場 ? 內(nèi)電場促使少子漂移 ? 內(nèi)電場阻止多子擴(kuò)散 最后 ,多子的 擴(kuò)散 和少子的 漂移 達(dá)到 動(dòng)態(tài)平衡 ， PN結(jié)寬度不變。 在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱 耗盡層 。 (1) PN結(jié)加正向電壓時(shí) ? 低電阻 ? 大的正向擴(kuò)散電流 ? PN結(jié)導(dǎo)通 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加正向電壓 ，簡稱 正偏 ；反之稱為加 反向電壓 ，簡稱 反偏 。 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流； PN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? (3) PN結(jié) VI 特性表達(dá)式 其中 PN結(jié)的伏安特性 )1e( /SD D ?? TVIi vIS ——反向飽和電流 VT ——溫度的電壓當(dāng)量 且在常溫下（ T=300K） ?? qkTV TmV 26? PN結(jié)的反向擊穿 當(dāng) PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為 PN結(jié)的 反向擊穿。二極管按結(jié)構(gòu)分有 點(diǎn)接觸型、面接觸型 兩大類。 （ a）面接觸型 （ b）集成電路中的平面型 （ c）代表符號 (2) 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。 反向擊穿電壓 VBR：二極管被反向擊穿時(shí)的電壓值。 指二極管未被擊穿時(shí) 的反向電流值。 二極管的主要參數(shù) (4) 正向壓降 VF (5) 極間電容 Cd（ CB、 CD ） 二極管正向?qū)ê?,管子兩端基本上保持不變正向電壓， 硅二極管約 ；鍺二極管約 。 二極管基本電路及其分析方法 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管電路的簡化模型分析方法 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管是一種非線性器件，因而其電路一般要采用非線性電路的分析方法，相對來說比較復(fù)雜，而圖解分析法則較簡單，但前提條件是已知二極管的 V I 特性曲線。 解：由電路的 KVL方程，可得 RVi DDDDv??DDDD11 VRRi ??? v即 是一條斜率為 1/R的直線，稱為 負(fù)載線 Q的坐標(biāo)值（ VD， ID）即為所求。 )1e( DSD ?? TVIi v 二極管電路的簡化模型分析方法 VI 特性的建模 VD:正向?qū)▔航? 硅管 鍺管 二極管電路的簡化模型分析方法 VI 特性的建模 （ 2）恒壓降模型 （ a） VI特性 （ b）電路模型 （ 3）折線模型 （ a） VI特性 （ b）電路模型 ????2 0 01D mAVVrthVDDD riVv th ???DDD rVvi th?? 二極管電路的簡化模型分析方法 VI 特性的建模 （ 4）小信號模型 vs =0 時(shí) , Q點(diǎn)稱為靜態(tài)工作點(diǎn) ，反映直流時(shí)的工作狀態(tài)。 二極管電路的簡化模型分析方法 VI 特性的建模 （ 4）小信號
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