半導體二極管及整流電路-在線瀏覽
2025-03-07 17:25本頁面
【正文】 的一大特點。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 體 （ 1） N 型半導體 在硅或鍺的晶體 中 摻入少量的 五價元 素 ,如磷 , 則形成 N型半導 體。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 （ 2） P型半導體 在硅或鍺的晶體中 摻入少量的三價元 素 ,如硼 ,則形成 P 型 半導體。 N型半導體中空穴是少子，少子的遷移也能形成電流，由于數(shù)量的關系，起導電作用的主要是多子 。 ，電子是少子 。 N區(qū)的電子向 P區(qū)擴散并與空穴復合 P區(qū)的空穴向 N區(qū)擴散并與電子復合 空間電荷區(qū) 內電場方向 二、 PN結及其單向導電性 多子擴散 少子漂移 內電場方向 空間電荷區(qū) P 區(qū) N 區(qū) 在一定的條件下，多子擴散與少子漂移達到動態(tài)平衡， 空間電荷區(qū)的寬度基本上穩(wěn)定下來。 空間電荷區(qū)中內電場阻礙 擴散運動 的進行。 PN結具有單向導電性。 導通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。 （ 2）二極管正向導通時 管壓降基本固定。 （ 3）二極管反向截止時， 反向電流很小，并 幾乎不變，稱反向 飽和電流。 （ 1）最大整流電流 IOM 二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。 （ 3）最大反向電流 IRM 指二極管加最大反向工作電壓時的反向電流。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。 以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應用是主要利用它的單向導電性包括整流、限幅、保護等 例 1. 試求下列電路中的電流。 、應用舉例 二極管的 應用范圍很廣 ,它可用與整流、檢波、限幅、 元件保護以及在數(shù)字電路中作為開關元件。 例 2：下圖中，已知 VA=3V， VB=0V， VDA 、 VDB為鍺管，求輸出端 Y的電位并說明 二極管的 作用。 VDA –12V Y A B VDB R 二極管導通后，管子上的管壓降基本恒定。 VD4 VD3 VD2 VD1 第 8章 u2 T u1 RL VD4 VD3 VD2 uo io 2. 整流工作原理 — u2負半周 VD1 + – VD2和 VD4導通， VD1和 VD3截止 ?t o ?t o ?t o ?t o ? 2? 3? ? 2? 3? 2 U2 2 U2 2 U2 Im ? ? 2? 2? 3? 3? uD1 uD3 uD4 uD2 3. 電壓、電流的計算 UO = , RL IO= UO RL = UDRM = 2 U2 , IO= , I2 = IO , U2 = UO 選用二極管的依據(jù)是 : ID 應小于 IOM (最大整流電流） UDRM應小于 UR M(最高反向工作電壓 ) uO u2 uD iO ID = IO 12 第 8章 濾波原理 : 交流電壓經(jīng)整流電路整流后輸出的是脈動直流，其中既有直流成分又有交流成份。 第三節(jié) 濾波電路 電容 充電 電容 放電 二極管導通時給電容充電 ,二極管截止時電容向負載放電 . 一、 電容濾波電路 1. 電路組成和工作原理 第 8章 u2 T u1 RL VD1 VD4 VD3 VD2 uo io C uC a u0 RL接入（且 RLC較大）時 u2 t u0 t 忽略整流電路內阻 沒有電容時的輸出波形 整流電路為電容充電 電容通過 RL
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