半導體二極管及整流電路-全文預覽
【正文】 導通電阻很小。 正向偏置 ： P區(qū)加正、 N區(qū)加負電壓 多子運動增強， PN結導通 反向偏置： P區(qū)加負、 N區(qū)加正電壓 少子運動增強， PN結截止 結論 正極引線 觸絲 N型鍺 支架 外殼 負極引線 點接觸型二極管 二極管的符號 正極 負極 三、 半導體二極管 正極引線 二氧化硅保護層 P型區(qū) 負極引線 面接觸型二極管 N型硅 PN結 PN結 二極管的型號 ? 例如： 2 C K 18 ? 序號 ? （ K開關、 W穩(wěn)壓、 Z ? 功能 整流、 P檢波） ? （ A、 B鍺） ? 材料 （ C、 D硅） ? 二極管 U I 死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。 內(nèi)電場方向 E 外電場方向 R I 2. PN 結的單向?qū)щ娦? P 區(qū) N 區(qū) 外電場驅(qū)使 P區(qū)的空穴進入空間 電荷區(qū)抵消一部分負空間電荷 N區(qū)電子進入空間電荷區(qū) 抵消一部分正空間電荷 空間電荷區(qū)變窄 擴散運動增強，形 成較大的正向電流 （ 1） 外加正向電壓 P 區(qū) N 區(qū) 內(nèi)電場方向 E R 空間電荷區(qū)變寬 外電場方向 IR （ 2） 外加反向電壓 外電場驅(qū)使空間電荷區(qū)兩側(cè)的空穴和自由電子移走 少數(shù)載流子越過 PN結形成很小的反向電流 多數(shù)載流子的擴散運動難于進行 空間電荷區(qū)中沒有載流子又稱耗盡層。 近似認為多子與雜質(zhì)濃度相等。 磷原子 +4 +5 多余價電子 自由電子 正離子 N 型半導體結構示意圖 少數(shù)載流子 多數(shù)載流子 正離子 在 N型半導中 ,電子是多數(shù)載流子 , 空穴是少數(shù)載流子。 ，載流子的濃度越高。 它是共價鍵結構。比如： 當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化。第八章 半導體二極管及整流電路 第二節(jié) 二極管整流電路 第三節(jié) 濾波電路 第四節(jié) 穩(wěn)壓管及穩(wěn)壓電路 第一節(jié) 半導體的導電特性及 PN結 自然界中很容易導電的物質(zhì)稱為 導體 ，金屬一般都是導體。 第一節(jié) 半導體的導電特性及 PN結 半導體的導電機理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點。 把純凈的沒有結構缺陷的半導體單晶 稱為本征半導體。 空穴移動方向 電子移動方向 價電子填補空穴 結論 子，即 自由電子 和 空穴 。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 體 （ 1） N 型半導體 在硅或鍺的晶體 中 摻入少量的 五價元 素 ,如磷 , 則形成 N型半導 體。 N型半導體中空穴是少子，少子的遷移也能形成電流，由于數(shù)量的關系，起導電作用的主要是多子 。 N區(qū)的電子向 P區(qū)擴散并與空穴復合 P區(qū)的空穴向 N區(qū)擴散
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