半導(dǎo)體二極管及整流電路-全文預(yù)覽
【正文】 導(dǎo)通電阻很小。 正向偏置 ： P區(qū)加正、 N區(qū)加負(fù)電壓 多子運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)， PN結(jié)導(dǎo)通 反向偏置： P區(qū)加負(fù)、 N區(qū)加正電壓 少子運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)， PN結(jié)截止 結(jié)論 正極引線 觸絲 N型鍺 支架 外殼 負(fù)極引線 點(diǎn)接觸型二極管 二極管的符號(hào) 正極 負(fù)極 三、 半導(dǎo)體二極管 正極引線 二氧化硅保護(hù)層 P型區(qū) 負(fù)極引線 面接觸型二極管 N型硅 PN結(jié) PN結(jié) 二極管的型號(hào) ? 例如： 2 C K 18 ? 序號(hào) ? （ K開(kāi)關(guān)、 W穩(wěn)壓、 Z ? 功能 整流、 P檢波） ? （ A、 B鍺） ? 材料 （ C、 D硅） ? 二極管 U I 死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。 內(nèi)電場(chǎng)方向 E 外電場(chǎng)方向 R I 2. PN 結(jié)的單向?qū)щ娦? P 區(qū) N 區(qū) 外電場(chǎng)驅(qū)使 P區(qū)的空穴進(jìn)入空間 電荷區(qū)抵消一部分負(fù)空間電荷 N區(qū)電子進(jìn)入空間電荷區(qū) 抵消一部分正空間電荷 空間電荷區(qū)變窄 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，形 成較大的正向電流 （ 1） 外加正向電壓 P 區(qū) N 區(qū) 內(nèi)電場(chǎng)方向 E R 空間電荷區(qū)變寬 外電場(chǎng)方向 IR （ 2） 外加反向電壓 外電場(chǎng)驅(qū)使空間電荷區(qū)兩側(cè)的空穴和自由電子移走 少數(shù)載流子越過(guò) PN結(jié)形成很小的反向電流 多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)難于進(jìn)行 空間電荷區(qū)中沒(méi)有載流子又稱耗盡層。 近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。 磷原子 +4 +5 多余價(jià)電子 自由電子 正離子 N 型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖 少數(shù)載流子 多數(shù)載流子 正離子 在 N型半導(dǎo)中 ,電子是多數(shù)載流子 , 空穴是少數(shù)載流子。 ，載流子的濃度越高。 它是共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。比如： 當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明顯變化。第八章 半導(dǎo)體二極管及整流電路 第二節(jié) 二極管整流電路 第三節(jié) 濾波電路 第四節(jié) 穩(wěn)壓管及穩(wěn)壓電路 第一節(jié) 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性及 PN結(jié) 自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為 導(dǎo)體 ，金屬一般都是導(dǎo)體。 第一節(jié) 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性及 PN結(jié) 半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。 把純凈的沒(méi)有結(jié)構(gòu)缺陷的半導(dǎo)體單晶 稱為本征半導(dǎo)體。 空穴移動(dòng)方向 電子移動(dòng)方向 價(jià)電子填補(bǔ)空穴 結(jié)論 子，即 自由電子 和 空穴 。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 體 （ 1） N 型半導(dǎo)體 在硅或鍺的晶體 中 摻入少量的 五價(jià)元 素 ,如磷 , 則形成 N型半導(dǎo) 體。 N型半導(dǎo)體中空穴是少子，少子的遷移也能形成電流，由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子 。 N區(qū)的電子向 P區(qū)擴(kuò)散并與空穴復(fù)合 P區(qū)的空穴向 N區(qū)擴(kuò)散
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1