半導體二極管及整流電路(存儲版)
【正文】 的電位鉗制在 +。 整流電路的輸出電流 RL接入（且 RLC較大）時 u1 u2 u1 b D4 D2 D1 D3 RL S C u0 2. 工作波形 u2 T u1 RL VD1 VD4 VD3 VD2 uO iO C uC t iD uO 2 U2 0 t t1 t4 t3 t2 2 U2 IO UO 全波整流電容濾波電路的外特性 ? ?39。 T uo u2 io u1 L C 第 8章 T RL 2. ?型 濾波器 (1) CLC濾波器 (2) CRC濾波器 uo u2 io u1 L C2 C1 T RL uo u2 io u1 C2 C1 R 第四節(jié) 穩(wěn)壓管及穩(wěn)壓電路 IF UF 0 正向特性 反向激穿區(qū) UZ Imin IZmax VZ 正極 負極 符號 伏安特性 一、穩(wěn)壓管 穩(wěn)壓管是一種特殊的 面接觸型半導體二極管。 第 8章 輸入與輸出端之間的電壓一般不得低于 3V！ 3. 同時輸出正、負電壓的穩(wěn)壓電路 W7915 W7815 CO +15V –15V UO1 選用不同穩(wěn)壓值的 78XX 和 79XX, 可構成 同時輸出不對稱正、負電壓的穩(wěn)壓電路 。 該組件的外形如下圖，穩(wěn)壓器的硅片封裝在普通功率管的外殼內(nèi)，電路內(nèi)部附有短路和過熱保護環(huán)節(jié)。 電容濾波電路適用于輸出電壓較高 ,負載電流較小且負載變動不大的場合。 具體分析： u1 u2 u1 b D4 D2 D1 D3 RL S C u2 t u0 t 忽略整流電路內(nèi)阻 只有整流電路輸出電壓大于 u0的時間區(qū)間，才有充電電流。 其中： US=5V， R=1K? 解：所示電路中二極管處于導通狀態(tài)， 因此： mARUI S 1 ?????+ US R I 二極管為電流控制型元件， R是限流電阻。手冊上給出的最高反向工作電壓 URM一般是UBR的一半。 反向擊穿電壓 U(BR) 小結： （ 1）二極管正向電壓很 小時，有死區(qū)。 結論 P 區(qū) N 區(qū) 1. PN 結的形成 用專門的制造工藝在同一塊半導體單晶上 ,形成 P型半導體區(qū)域 和 N型半導體區(qū)域 ,在這兩個區(qū)域的交界處就形成了一個 PN 結。 的濃度。 在熱力學溫度零度 和沒有外界激發(fā)時 , 本征半導體不導電。 有的物質(zhì)幾乎不導電，稱為 絕緣體 ，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 本征半導體的共價鍵結構 硅原子 價電子 一、半導體的導電特性 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由電子 空穴 本征激發(fā) 復合 在常溫下自由電子和空穴的形成 成對出現(xiàn) 成對消失 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 外電場方向 空穴導電的實質(zhì)是共價鍵中的束縛電子依次填補空穴形成電流。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 （ 2） P型半導體 在硅或鍺的晶體中 摻入少量的三價元 素 ,如硼 ,則形成 P 型 半導體。 空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙 擴散運動 的進行。 （ 3）二極管反向截止時， 反向電流很小，并 幾乎不變，稱反向
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