【正文】 若 ?vI = 20mV 使 當(dāng)則電壓放大倍數(shù)?iE = 1 mA，?iC = ? ?iE = mA， ?vO = ?iC? RC = V，? = 時，RCe cb1k? 共基極放大電路VCCVEBIC+?vEB?vO++?iC+?iE+?iB+?vIVEEIEIBDate1415河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)?vI = 20mV 設(shè)若則電壓放大倍數(shù)?iB = 20 uA?vO = ?iC? RC = V，? = 使+b ceRC1k?共射極放大電路 共射極放大電路VBBVCCVBEIBIEIC?vI+?vBE?vO++?iC+?iE+?iB+結(jié)論： 共射放大電路既有電流放大能力又有電壓放大能力。UCE UBE， 三極管處于放大狀態(tài)?！?　 IB= 0 時， IC = ICEO。AIB =0O 5 10 154321放大區(qū)　 　 集電極電流和基極電流體現(xiàn)放大作用，即放大區(qū)放大區(qū)對 NPN 管 UBE 0， UBC 0圖 　 NPN 三極管的輸出特性曲線Date2122河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)3. 飽和區(qū)：條件 ：兩個結(jié)均正偏I(xiàn)C / mAUCE /V100 181。飽和管壓降 UCES V(硅管 )， UCES 0. 2 V(鍺管 )飽和區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)Date2223河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)[例 1]:三極管工作狀態(tài)的判斷例：測量某硅材料 NPN型 BJT各電極對地的電壓值如下，試判別管子工作在什么區(qū)域？（（ 1）） VC ＝＝ 6V　　 　　 VB ＝＝ 　　 VE ＝＝ 0V（（ 2）） VC ＝＝ 6V　　 　　 VB ＝＝ 4V　　 VE ＝＝ （（ 3）） VC ＝＝ 3V　　 VB ＝＝ 4V　　 VE ＝＝ 3V解：原則：正偏反偏反偏集電結(jié)正偏正偏反偏發(fā)射結(jié)飽和放大截止對 NPN管而言，放大時 VC ＞＞ VB ＞＞ VE （ 1）放大區(qū)（ 2）截止區(qū)（ 3）飽和區(qū)　Date2324河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)一、電流放大系數(shù)表征管子放大作用的參數(shù)，有以下幾個：1. 共射電流放大系數(shù) ?2. 共射直流電流放大系數(shù)忽略穿透電流 ICEO 時，　　 BJT的主要參數(shù)的主要參數(shù)Date2425河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)3. 共基電流放大系數(shù) ?4. 共基直流電流放大系數(shù)忽略反向飽和電流 ICBO 時，? 和 ? 這兩個參數(shù)不是獨立的，而是互相聯(lián)系，關(guān)系為：Date2526河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)二、極間反向飽和電流1. 集電極和基極之間的反向飽和電流 ICBO ICEO(a)ICBO測量電路(b)ICEO測量電路ICBO ceb?AICEO?Aceb 小功率鍺管 ICBO 約為幾微安；硅管的 ICBO 小，有的為納安數(shù)量級。　 　 安全工作區(qū) 同時要受 PCM、 ICM 和 U(BR)CEO限制。解：解：Date3031河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)補充：放大的概念　　本質(zhì)： 實現(xiàn)能量的控制?！?2． 設(shè) 置直流 電 源， 為電 路提供能源。一般用 IB、 IC、和 VCE （或 IBQ、 ICQ、和VCEQ ） 表示。 交流負(fù)載線是有交流輸入信號時 工作點的運動軌跡。Date4849河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)OiB = 0QuCE/ViC / mAACBD E交流負(fù)載線② 放大電路的動態(tài)范圍放大電路要想獲得大的不失真輸出幅度，要求： ? 工作點 Q要設(shè)置在輸出特性曲線放大區(qū)的中間部位；? 要有合適的交流負(fù)載線。OIBiCuCE Q1Q2OIBiCuCE Q1Q2　 　 增大 ? ， ICQ 增大，UCEQ 減小，則 Q 點移近飽和區(qū)?！⌒⌒盘柲Ｐ头治龇ā⌒⌒盘柲Ｐ头治龇? BJT的小信號建模Date5455河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)在小信號情況下，對上兩式取全微分得用小信號交流分量表示 vbe= hieib+ hrevceic= hfeib+ hoevce 對于 BJT雙口網(wǎng)絡(luò)，我們已經(jīng)知道輸入輸出特性曲線如下：iB=f(vBE)? vCE=常數(shù)iC=f(vCE)? iB=常數(shù)可以寫成：vBE vCEiBcebiCBJT雙口網(wǎng)絡(luò)Date5556河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)輸出端交流短路時的輸入電阻；輸出端交流短路時的正向電流傳輸比或電流放大系數(shù)；輸入端交流開路時的反向電壓傳輸比；輸入端交流開路時的輸出電導(dǎo)。 Date5859河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)小信號模型 vBEvCEiB cebiCBJT雙口網(wǎng)絡(luò)vCE = 0V vCE ? 1V從另外一個角度得到小信號模型Date5960河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)小信號模型vBE vCEiB cebiCBJT雙口網(wǎng)絡(luò)? =?IC/?IB?vCE=constic = ? ibDate6061河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)vBE vCEiBcebiCBJT雙口網(wǎng)絡(luò)小信號模型Date6162河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)4. rbe 的 近似估算公式rbb? ： 基區(qū)體電阻。Date6364河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)Rbvi Rc共射極放大電路icvce+交流通路RLH參數(shù)小信號等效電路 用 H參數(shù)小信號模型分析共射極基本放大電路Date6465河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)根據(jù)Rbvi Rc RL則電壓增益為Date6566河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)Rb Rc RLRiRb Rc RLRo令Ro = Rc 所以Date6667河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)　 　 例：接有發(fā)射極電阻的單管放大電路，計算電壓放大倍數(shù)和輸入、輸出電阻。溫度變化對管子參數(shù)的影響主要表現(xiàn)有： 1. UBE 改變。q 為實現(xiàn)電流放大，將第一只管的集電極或發(fā)射極電流作為第二只管子的基極電流。e發(fā)射結(jié)電阻 re歸算到基極回路的電阻 發(fā)射結(jié)電容集電結(jié)電阻 集電結(jié)電容 rbb39。這說明放大倍數(shù)是信號頻率的函數(shù)，這種函數(shù)關(guān)系成為頻率響應(yīng)或頻率特性。Date7374河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)1. 溫度變化對 ICBO的影響2. 溫度變化對輸入特性曲線的影響溫度 T ? ? 輸出特性曲線上移溫度 T ? ? 輸入特性曲線左移3. 溫度變化對 ? 的影響溫度 T ? ? 輸出特性曲線族間距增大總之： ICBO ? ? ICEO ? T ? ? VBE ? ? IB ? ? IC ? ? ?Date7475河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)　射極偏置電路　射極偏置電路一、電路組成 分壓式偏置電路　　由于 UBQ 不隨溫度變化，—— 電流負(fù)反饋式工作點穩(wěn)定電路　　 T ? ? ICQ ? ? IEQ ? ? UEQ ? ? UBEQ (= UBQ – UEQ) ? ? IBQ ? ? ICQ ?Date7576河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)二、靜態(tài)與動態(tài)分析靜態(tài)分析C1RcRb2+VCCC2RL+?+++?+ Ceu