半導(dǎo)體二極管及其基本電路(存儲版)
【正文】 PN結(jié)的形成及特性 PN結(jié)的形成 在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴(kuò)散和漂移，在它們的交界面處就形成了 PN結(jié)。 主要載流子為 空穴 。 形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。 Si14 硅原子 Ge32 鍺原子 硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 共價(jià)鍵共 用電子對 +4 +4 +4 +4 +4表示除去價(jià)電子后的原子 硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為 束縛電子 ，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為 自由電子 ，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。 P型半導(dǎo)體 (空穴型半導(dǎo)體 ) —— 摻入 三價(jià) 雜質(zhì)元素（如硼）的半導(dǎo)體。三價(jià)雜質(zhì) 因而也稱為 受主雜質(zhì) 。 P N P N 符號 陽極 陰極 二極管的實(shí)物 二極管的實(shí)物 二極管的實(shí)物 伏安特性 vD iD 導(dǎo)通壓降：硅管 ~，鍺管 ~ 反向擊穿電壓 U(BR) 死區(qū)電壓： 硅管 ， 鍺管 反向漏電流 IS 很小， ?A級 + i D v D R 今后約定為： 硅管 鍺管 電擊穿：雪崩擊穿、齊納擊穿 熱擊穿： 二極管的參數(shù) (1)最大整流電流 IF (2)反向擊穿電壓 VBR和最大反向工作電壓 VRM (3)反向電流 IR (4)正向壓降 VF (5)極間電容 C 24 二極管基本電路 及其分析方法 二極管常用模型 1)理想模型 2)恒壓降模型 3)折線模型 二極管常用模型 二極管工作在正向特性的某一小范圍內(nèi)時(shí)，其正向特性可以等效成一個(gè)微變電阻。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大穩(wěn)定工作電流 IZmax和最小穩(wěn)定工作電流 IZmin (5)穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) —— ?VZ 穩(wěn)壓電路 +RIR+RLIOVOV IIZDZ正常穩(wěn)壓時(shí) VO =VZ * 穩(wěn)壓條件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax * 不加 R 可以嗎？ * 上述電路 VI為正弦波，且幅值
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