半導(dǎo)體二極管、三極管來(lái)料檢驗(yàn)規(guī)程(存儲(chǔ)版)
【正文】 圍內(nèi)的反向電流值I0。 試驗(yàn)完畢用5倍以上的放大鏡檢查，浸漬部位表面應(yīng)浸潤(rùn)覆蓋一層光滑的、明亮的焊錫涂層，缺陷比率（例如針孔或出現(xiàn)未浸潤(rùn)面）不得多于5%，且這些缺陷不得集中在元件的相同部位。一般每種器件應(yīng)取5～10只為宜。附表1 測(cè)試IGBT、功率達(dá)林頓晶體管、小功率NPN/PNP管、1N系列二極管時(shí)晶體管特性圖示儀的開(kāi)關(guān)檔位常規(guī)測(cè)試輸出特性曲線(xiàn)圖示儀檔位測(cè)IGBT測(cè)達(dá)林頓測(cè)PNP測(cè)NPN測(cè)二極管峰值電壓范圍0～10V0～10V0～10V0～10V0～10V峰值電壓調(diào)節(jié)10V10V10V10V10V掃描極性＋＋－＋＋功耗電阻2或12或1電壓/度1V1V1～2V1～2V電流/度1A1A1～2mA1～2mA10mA階梯作用重復(fù)重復(fù)重復(fù)重復(fù)重復(fù)階梯極性＋＋－＋階梯幅度/級(jí)1V1mAX軸電壓UBE1V轉(zhuǎn)移特性峰值電壓范圍0～10V功耗電阻2或1電流/度VBE階梯選擇1mA/級(jí)公共部分階梯幅度/級(jí)20μA/級(jí)20μA/級(jí)測(cè)試選擇測(cè)試測(cè)試測(cè)試測(cè)試常態(tài)/倒置常態(tài)常態(tài)常態(tài)常態(tài)測(cè)量校準(zhǔn)測(cè)量測(cè)量測(cè)量測(cè)量A/B轉(zhuǎn)換A或BA或BA或BA或B階梯作用重復(fù)擊穿電壓測(cè)試峰值電壓范圍0～500V0～500V0～200V*0～200V峰值電壓調(diào)節(jié)0V 0V 0V 0V掃描極性＋＋＋－功耗電阻100K100K5K10K電壓/度50V50V2V20V電流/度0 .01mAICE0階梯作用關(guān)備注l 測(cè)試標(biāo)稱(chēng)穩(wěn)壓值10V以下穩(wěn)壓二極管時(shí)，峰值電壓范圍應(yīng)為0～10V，余類(lèi)推。5% 濕熱條件保持48h，室溫下放置2h，再再進(jìn)行電測(cè)試按“4 檢驗(yàn)測(cè)試方法”進(jìn)行50/1注：表中的“n”為樣品數(shù) 不合格品處理檢驗(yàn)的不合格批，退供應(yīng)部門(mén)處理。此外還要定期抽樣進(jìn)行接收試驗(yàn)。5℃；浸漬時(shí)間3177。所測(cè)得的二極管的正向電壓降，在該二極管的標(biāo)稱(chēng)值范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。PNP小功率晶體管的測(cè)試方法與此基本相同。觀(guān)測(cè)到的VCES值在該小功率晶體管的標(biāo)稱(chēng)飽和壓降范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。否則為不合格。正確連接相應(yīng)的達(dá)林頓晶體管測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無(wú)誤后，接入待測(cè)的IGBT，圖示儀即顯示一簇該達(dá)林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲
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