半導(dǎo)體二極管、三極管來(lái)料檢驗(yàn)規(guī)程-資料下載頁(yè)
2025-07-25 13:57本頁(yè)面
【正文】 方法”進(jìn)行50/1低溫存儲(chǔ)－403℃ 存儲(chǔ)68h。室溫下放置2h，再再進(jìn)行電測(cè)試按“4 檢驗(yàn)測(cè)試方法”進(jìn)行50/1高低溫沖擊試驗(yàn)125+3℃～－403℃ 2h/每種溫度，10次。室溫下放置2h，再再進(jìn)行電測(cè)試按“4 檢驗(yàn)測(cè)試方法”進(jìn)行50/1濕熱試驗(yàn)溫度40+3℃ 相對(duì)濕度90177。5% 濕熱條件保持48h，室溫下放置2h，再再進(jìn)行電測(cè)試按“4 檢驗(yàn)測(cè)試方法”進(jìn)行50/1注：表中的“n”為樣品數(shù) 不合格品處理檢驗(yàn)的不合格批，退供應(yīng)部門處理。如果生產(chǎn)急需，檢驗(yàn)不合格的項(xiàng)目又非器件的主要性能指標(biāo)時(shí)，可安排進(jìn)行100%的篩選測(cè)試，將篩選出來(lái)的合格品驗(yàn)收入庫(kù)，不合格品退供應(yīng)部門處理。附表1 測(cè)試IGBT、功率達(dá)林頓晶體管、小功率NPN/PNP管、1N系列二極管時(shí)晶體管特性圖示儀的開關(guān)檔位常規(guī)測(cè)試輸出特性曲線圖示儀檔位測(cè)IGBT測(cè)達(dá)林頓測(cè)PNP測(cè)NPN測(cè)二極管峰值電壓范圍0～10V0～10V0～10V0～10V0～10V峰值電壓調(diào)節(jié)10V10V10V10V10V掃描極性＋＋－＋＋功耗電阻2或12或1電壓/度1V1V1～2V1～2V電流/度1A1A1～2mA1～2mA10mA階梯作用重復(fù)重復(fù)重復(fù)重復(fù)重復(fù)階梯極性＋＋－＋階梯幅度/級(jí)1V1mAX軸電壓UBE1V轉(zhuǎn)移特性峰值電壓范圍0～10V功耗電阻2或1電流/度VBE階梯選擇1mA/級(jí)公共部分階梯幅度/級(jí)20μA/級(jí)20μA/級(jí)測(cè)試選擇測(cè)試測(cè)試測(cè)試測(cè)試常態(tài)/倒置常態(tài)常態(tài)常態(tài)常態(tài)測(cè)量校準(zhǔn)測(cè)量測(cè)量測(cè)量測(cè)量A/B轉(zhuǎn)換A或BA或BA或BA或B階梯作用重復(fù)擊穿電壓測(cè)試峰值電壓范圍0～500V0～500V0～200V*0～200V峰值電壓調(diào)節(jié)0V 0V 0V 0V掃描極性＋＋＋－功耗電阻100K100K5K10K電壓/度50V50V2V20V電流/度0 .01mAICE0階梯作用關(guān)備注l 測(cè)試標(biāo)稱穩(wěn)壓值10V以下穩(wěn)壓二極管時(shí)，峰值電壓范圍應(yīng)為0～10V，余類推。l 測(cè)試標(biāo)稱擊穿電壓在1KV以上2KV以下的二極管時(shí)，峰值電壓范圍應(yīng)為0～2000V，余類推。8
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